[發明專利]具有高熱波長調諧效率的可調激光器有效
| 申請號: | 201480037709.7 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105409071B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 陳宏民;顏學進;苗容生;沈曉安;劉宗榮 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/026 | 分類號: | H01S5/026;H01S5/50;H01S5/06;H01S5/042;H01S5/125;H01S5/0625;G02B6/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 高熱 波長 調諧 效率 可調 激光器 | ||
一種單片集成熱可調激光器,包括:分層襯底,所述分層襯底包括上表面和下表面,以及熱調諧組件,所述熱調諧組件包括:定位在所述上表面上的加熱元件;定位在所述上表面與所述下表面之間的波導層,以及定位在所述波導層與所述下表面之間的隔熱層,其中所述隔熱層至少部分由磷化銦(Indium Phosphide,InP)犧牲層刻蝕出,其中所述隔熱層定位在砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)刻蝕停止層之間。
相關申請案交叉申請
本發明要求陳宏民(Hongmin Chen)等人在2013年4月30日遞交的發明名稱為“具有高熱波長調諧效率的可調激光器(Tunable Laser With High Thermal WavelengthTuning Efficiency)”的美國臨時專利申請案第61/817,731號的在先申請優先權,該在先申請的內容以引入的方式并入本文本中,如同全文復制一樣。
關于由聯邦政府贊助研究或開發的聲明
不適用
參考縮微膠片附錄
不適用
技術領域
無
背景技術
單片集成激光器可以是在磷化銦(Indium Phosphide,InP)晶片等單一晶片上制造的激光器。可調激光器可以是具有可控的在相當大的波長范圍上連續改變的輸出波長的激光器。可調激光器可以通過將電流或熱量注入到調諧裝置中來控制。此類熱量和/或電流可以使得調諧裝置選擇性地改變,從而可以導致所希望的波長的集中的光輸出。許多結構可以用于控制在單片集成激光器中和/或在其它光傳輸背景下的光輸出。
發明內容
在一個實施例中,本發明包含一種單片集成熱可調激光器,包括:分層襯底,所述分層襯底包括上表面和下表面,以及熱調諧組件,所述熱調諧組件包括:定位在上表面上的加熱元件;定位在上表面和下表面之間的波導層,以及定位在波導層和下表面之間的隔熱層,其中所述隔熱層至少部分由InP犧牲層刻蝕出,其中所述隔熱層定位在砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)刻蝕停止層之間。
在另一實施例中,本發明包含一種通過某一過程制備的用于單片集成激光器的熱調諧組件,所述過程包括:形成分層襯底,其中所述分層襯底包括定位在多個InGaAs刻蝕停止層之間的砷化銦鋁(Indium Aluminum Arsenide,InAlAs)犧牲層;將加熱元件附接在分層襯底的表面上;通過所述InGaAs刻蝕停止層容納刻蝕劑并通過刻蝕掉InAlAs犧牲層的至少一部分在分層襯底中形成懸空式隔熱結構。
在另一實施例中,本發明包含一種制造熱調諧組件的方法,包括:形成分層襯底,其中所述分層襯底包括定位在多個InGaAs刻蝕停止層之間的InP犧牲層;將加熱元件定位在分層襯底的上表面上;通過所述InGaAs刻蝕停止層容納刻蝕劑并通過刻蝕掉InP犧牲層的至少一部分在分層襯底中形成懸空式隔熱結構。
從結合附圖以及權利要求書進行的以下詳細描述將更清楚地理解這些以及其他特征。
附圖說明
為了更透徹地理解本發明,現參閱結合附圖和具體實施方式而描述的以下簡要說明,其中的相同參考標號表示相同部分。
圖1是用于單片集成可調激光器的熱調諧組件的實施例的俯視圖。
圖2是圖1的示意圖的縱向截面。
圖3是圖1的示意圖的第一橫向截面。
圖4是圖1的示意圖的第二橫向截面。
圖5是圖1的示意圖的第三橫向截面。
圖6是熱調諧組件的實施例的第一制造過程步驟的圖示。
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