[發(fā)明專利]一種涂布的電暈電離源的方法與設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480035363.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105339787B | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H·扎列斯基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蒙特利爾史密斯安檢儀公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/68 | 分類號(hào): | G01N27/68;H01J49/16;H01J49/26 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 嚴(yán)政;劉兵 |
| 地址: | 加拿大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電暈 電離 方法 設(shè)備 | ||
一種電暈電離源組合及制作方法被描述為包括含有第一材料的線材芯的細(xì)線材,和含有第二材料的線材涂層,其中所述線材涂層包裹了部分所述線材芯,且所述線材涂層的直徑大于所述線材芯的直徑。此外,所述細(xì)線材可以耦合到標(biāo)桿上。在實(shí)施方式中,采用本發(fā)明公開的技術(shù)制作電暈電離源組合的方法包括:形成線材芯,形成包裹所述線材芯的線材涂層,至少部分所述線材涂層上形成遮罩層,蝕刻所述線材涂層,和從所述線材涂層去除所述遮罩層。
相關(guān)申請(qǐng)的參考
本申請(qǐng)要求2013年6月21日提交的序列號(hào)為61/837,785,名稱為“一種涂布的電暈電離源的方法與設(shè)備”的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其引入本文作為參考。
背景技術(shù)
離子遷移率光譜儀(IMS)能夠通過電離原料(例如分子,原子等)和測(cè)量產(chǎn)生的離子到達(dá)檢測(cè)器所花費(fèi)的時(shí)間從感興趣的樣品識(shí)別原料。離子飛行的時(shí)間與被電離的分子的質(zhì)量和幾何相關(guān)的離子遷移率密切相關(guān)。離子遷移率光譜儀在周圍環(huán)境大氣壓力下運(yùn)行并在漂移氣體的存在下基于遷移率分離離子。檢測(cè)器的輸出能夠直觀地表示為例如峰高對(duì)漂移時(shí)間的等離子體色譜圖。
質(zhì)譜儀(MS),在真空下運(yùn)行并基于荷質(zhì)比分離離子。在利用質(zhì)譜儀的一些實(shí)施方式中,被電離的樣品可以是固體、液體或氣體。離子在質(zhì)量分析儀中根據(jù)質(zhì)荷比被分離并由能夠檢測(cè)帶電粒子的裝置進(jìn)行檢測(cè)。來自檢測(cè)器的信號(hào)隨后根據(jù)質(zhì)荷比被處理成離子的相對(duì)豐度的光譜。原子或分子通過確定質(zhì)量或通過特有分裂模式由相關(guān)已知質(zhì)量識(shí)別。
每個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)可以包括樣品源、離子源、分析器和檢測(cè)器。離子源的一些實(shí)例可以包括產(chǎn)生帶電粒子(離子)的設(shè)備,可以包括電噴霧電離、感應(yīng)耦合等離子體、火花電離、放射源(例如,63Ni)等。
發(fā)明內(nèi)容
電暈電離源組合及制作電暈電離源組合的方法被描述為包括:含有第一材料的線材芯的細(xì)線材(fine wire),和含有第二材料的線材涂層,其中,所述線材涂層包裹了部分所述線材芯,且所述線材涂層的直徑大于所述線材芯的直徑,以及標(biāo)桿耦合到所述細(xì)線材上。在實(shí)施方式中,采用本發(fā)明公開的技術(shù)制作電暈電離源組合的方法,包括:形成線材芯,形成包裹所述線材芯的線材涂層,在至少部分所述線材涂層上形成遮罩層(mask layer),蝕刻所述線材涂層,以及從所述線材涂層上去除所述遮罩層。
提供本發(fā)明內(nèi)容用于簡(jiǎn)要形式地介紹概念的選擇,其將進(jìn)一步在下面的具體實(shí)施方式中描述。本概述不是旨在識(shí)別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征,也不是旨在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。
附圖說明
詳細(xì)內(nèi)容將參考附圖描述。在圖中,首次出現(xiàn)的參考號(hào)的最左邊的數(shù)字識(shí)別該圖。在說明書不同的舉例中和附圖中使用相同的參考號(hào)可以表示相似或相同的物品。
圖1A為根據(jù)本發(fā)明公開的將電暈電離源組合進(jìn)行裝配以實(shí)現(xiàn)細(xì)線材的示意圖。
圖1B為根據(jù)本發(fā)明公開的將電暈電離源組合進(jìn)行裝配以實(shí)現(xiàn)細(xì)線材的示意圖。
圖1C為根據(jù)本發(fā)明公開的將電暈電離源組合進(jìn)行裝配以實(shí)現(xiàn)細(xì)線材的示意圖。
圖1D為根據(jù)本發(fā)明公開的示例我檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖。
圖2為在實(shí)施例中用于制作電暈電離源組合的方法的流程圖,例如圖1A到1D所示的設(shè)備。
圖3A到3D為根據(jù)圖2所示的方法制得電暈電離源組合的局部橫截面?zhèn)纫晥D的示意圖,例如圖1A到1D所示的設(shè)備。
具體實(shí)施方式
在離子遷移率光譜儀中,光譜儀可以包括樣品源、離子源、分析器和檢測(cè)器。通常使用的一種類型的電離源包括電暈電離源。電暈電離源利用放電導(dǎo)致通電的導(dǎo)體周邊流體電離。當(dāng)導(dǎo)體周邊電場(chǎng)的強(qiáng)度(即點(diǎn)位梯度)足夠高形成導(dǎo)電區(qū)域,但不足夠高造成絕緣破壞或附近物體電弧作用時(shí),電暈源將發(fā)生放電。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蒙特利爾史密斯安檢儀公司,未經(jīng)蒙特利爾史密斯安檢儀公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





