[發明專利]EUV成像設備

有效

• 申請號: 201480033769.1
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN105324721B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: J.庫格勒;S.亨巴徹;M.施密德
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B7/182
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

提出一種EUV成像設備，其包含參考結構(250,400,500)、第一光學元件(215)以及第二光學元件(315)，其中，第一光學元件(215)借助于第一致動器(205)相對參考結構(250,400,500)是可致動的，第一致動器(205)為自保持致動器，第二光學元件(315)借助于第二致動器(300)相對參考結構(250,400,500)是可致動的，第二致動器(300)為非自保持致動器。

相關申請的交叉引用

本申請案基于并主張于2013年6月17日申請的在先德國專利申請第102013211310.2號的優先權權益，通過引用將其整體內容并入本文。

技術領域

本發明涉及一種EUV成像設備，例如包含多個光學元件，特別是反射鏡的EUV光刻設備。

背景技術

光刻設備用于例如集成電路(ICs)的生產，用于將在掩模上的掩模圖案成像于基板(例如硅晶片)上。在該工藝中，由照明設備產生的光束經由掩模而導向基板。由多個光學元件構成的曝光鏡頭(exposure lens)用于將光束聚焦于基板上。

能夠在晶片上實現的最小結構單元(the smallest structure element)的范圍與曝光所使用的光的波長成比例，并與光束成形所使用的光學元件(透鏡元件或反射鏡)的數值孔徑成反比。為了符合更小結構的需求，發展重點在于具有更短波長的光源，此發展結果為波長在5nm與30nm(例如13nm)之間的EUV(極紫外)光源。如此低的波長使得最小結構能夠成像在晶片上。由于在此波長范圍中的光被大氣中的氣體所吸收，此EUV光刻設備的光束路徑位于高真空中。此外，在上述波長范圍中沒有足夠透明的材料，這是為什么使用反射鏡作為光學元件用于成形并引導EUV輻射。小結構尺寸的第二個先決條件(即高數值孔徑)表示所使用的反射鏡必須非常大且接近晶片的反射鏡可具有例如300到500nm或更大的直徑。如此大的反射鏡必然具有相對大的質量，從而增加了對低變形安裝架(low-deformationmount)及致動的要求。

安裝或致動光學元件(如光刻設備中的反射鏡)的一選擇為通過壓電致動器來安裝。相關示例公開于US2004/0212794A1、EP 1 879 218 A1、以及US2003/0234989A1中.

文件US2004/257549A1描述一種光刻設備、一種投射系統、一種投射方法及一種裝置制造方法。投射系統包含至少一個投射裝置，其配置為接收來自第一物體的輻射光束并將光束投射到第二物體。投射系統還包含配置為測量至少一個投射裝置的空間取向的傳感器以及配置為與至少一個傳感器通信的處理單元。處理單元系配置為與定位裝置通信，定位裝置配置為基于至少一個投射裝置的測量的空間取向而調整第一物體與第二物體中至少一個的位置。

此外，文件US2004/227107A1顯示一種光刻設備及一種制造方法。此外，US2004/227107A1描述在EUV的投射系統中，反射鏡的位置相對彼此而測量及控制，而非相對參考系(reference frame)。相對位置測量可由安裝在反射鏡的剛性延伸物上的干涉儀(interferometer)或電容式傳感器完成。

然而，由于定位時不斷增加的要求，具有壓電致動器的系統已達到其極限。為了符合這些增加的要求，提出了具有洛倫茲致動器(Lorentz actuator)的保持器(holder)或安裝架(mount)，其中柱塞線圈(plunger coil)用于作為驅動器以校正光學元件的位置。除了更準確的定位，這種洛倫茲致動器與壓電致動器相比具有各種其它優點，例如較低的剛度、對環境影響有較大的耐用性(robustness)及較小的寄生效應(parasitic effect)。然而，經由洛倫茲致動器安裝光學元件與系統更大的復雜性有關，因為這是主動安裝架(activemount)，其中光學元件的位置連續地校正。

因此，本發明的目的之一為提供一種EUV成像設備，由此可降低設備的復雜性并因而降低生產成本。

發明內容