[發明專利]用于改進的電接觸的透明導電氧化物(TCO)薄膜的預處理

有效

• 申請號: 201480033512.6
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN105324707B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 托德·馬丁;阿比什克·阿南特·迪克西特;費邊·斯特朗;安舒·A·普拉丹
• 申請（專利權）人: 唯景公司
• 主分類號: G02F1/155
• 分類號: G02F1/155;G02F1/1523;G02F1/153
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種制造光學器件的方法，所述方法按以下順序包括：

(a)將所述光學器件的子層暴露于能量源；

(b)在所述子層上沉積所述光學器件的一個或多個材料層；以及

(c)利用激光來燒蝕所述一個或多個材料層和所述子層以暴露下面的層，

其中(a)中的將所述子層暴露于所述能量源增加了所述子層的吸收特性。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述下面的層是下導體層。

3.如權利要求1所述的方法，其中(a)中的將所述子層暴露于所述能量源還減少了所述下面的層的所述吸收特性。

4.如權利要求1所述的方法，其中(a)中的將所述子層暴露于所述能量源改變了所述子層和所述下面的層的特性，使得所述子層相對于所述下面的層具有較高的吸收特性。

5.如權利要求1所述的方法，其中(a)僅在所述子層區域的一部分上執行，并且(c)基本在所述子層的同一部分上執行。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述光學器件是電致變色器件。

7.如權利要求1所述的方法，其中(a)中使用的所述能量源是(c)中使用的所述激光、另一激光或等離子體中的一個。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述子層包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物或金屬碳氧化物。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述子層包括TiO₂。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述子層包括金屬氧化物，所述金屬氧化物選自由氧化鋁、氧化鈦、TiO₂、氧化鉭、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、硅鋁氧化物、氧化鎢、鎳鎢氧化物和氧化的銦錫氧化物組成的組。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述子層包括金屬氮化物，所述金屬氮化物選自由氮化鈦、氮化鋁、氮化硅、氮化鉭和氮化鎢組成的組。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述子層包括金屬碳化物，所述金屬碳化物選自由碳化鈦、碳化鋁、碳化硅、碳化鉭和碳化鎢組成的組。

13.如權利要求1所述的方法，其中(b)包括在所述子層上形成電致變色器件堆。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述電致變色器件堆包括WO₃電致變色層和鎳基對電極層。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述鎳基對電極層包括NiWO或NiTaO。

16.如權利要求6所述的方法，其中所述下面的層是所述電致變色器件的下導體層，并且其中所述子層在所述電致變色器件的所述下導體層的頂部并直接與其相鄰。

17.如權利要求13所述的方法，其中所述下面的層是所述電致變色器件的下導體層，并且其中所述下導體層包括氧化錫。

18.如權利要求16所述的方法，其還包括在(c)中暴露的所述下導體層上制造母線。

19.如權利要求1所述的方法，其中將所述子層暴露于所述能量源將所述子層的區域加熱到超過400℃，這在所述加熱區域中引起開裂。

20.如權利要求1所述的方法，其中所述能量源是包括O₂、N₂和H₂中至少一個的大氣壓等離子體。