[發明專利]作為顯示裝置的像素元件的氧化物半導體晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201480033487.1
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN105324848A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 張震;石萬柱;嚴在光;李秀熙
• 申請（專利權）人: 慶熙大學校產學協力團
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/335
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種氧化物半導體晶體管，作為顯示裝置的像素元件，其特征在于，包括：

基板；

第一柵電極，其位于所述基板上；

源極及漏極，其位于所述第一柵電極上；以及

第二柵電極，其位于所述源極及所述漏極上，

其中，所述第一柵電極與所述第二柵電極電連接且被施加相同的電壓，所述第二柵電極的寬度短于所述源極與所述漏極之間的寬度。

2.根據權利要求1所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述第二柵電極的寬度為2μm以上。

3.根據權利要求1所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述第二柵電極的一端與所述源極之間的垂直距離的寬度及所述第二柵電極的另一端與所述漏極之間的垂直距離的寬度中至少一個寬度的值為0.5μm以上5μm以下。

4.根據權利要求1所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括：

連接電極，其電連接所述第一柵電極與所述第二柵電極。

5.根據權利要求1所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括：

柵極絕緣膜，其位于所述第一柵電極與所述源極/漏極之間；

氧化物半導體層，其位于所述柵極絕緣膜與所述源極/漏極之間；以及

保護層，其位于所述源極/漏極與所述第二柵電極之間。

6.根據權利要求5所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述源極與所述漏極向水平方向配置，

所述氧化物半導體晶體管還包括至少一部分位于所述源極與所述漏極之間的蝕刻阻擋。

7.根據權利要求6所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述柵極絕緣膜、所述蝕刻阻擋、所述保護層中至少一個由氧化物或金屬氧化物構成。

8.根據權利要求1所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述氧化物半導體層由包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅鎵(GZO)、鉿銦鋅氧化物(HIZO)、鋅銦錫氧化物(ZITO)及鋁鋅錫氧化物(AZTO)中任意一種的非晶質或多晶體構成。

9.一種氧化物半導體晶體管，作為顯示裝置的像素元件，其特征在于，包括：

基板；

第一柵電極，其位于所述基板上；

源極及漏極，其位于所述第一柵電極上；以及

第二柵電極，其位于所述源極及所述漏極上，

其中，所述第一柵電極與所述第二柵電極配置于同一軸上，所述第二柵電極的寬度短于所述第一柵電極的寬度，所述第一柵電極與所述第二柵電極電連接且被施加相同的電壓。

10.根據權利要求9所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述第二柵電極的寬度短于所述源極與所述漏極之間的寬度。

11.根據權利要求9所述的氧化物半導體晶體管，其特征在于：

所述第二柵電極的一端與所述源極之間的垂直距離的寬度及所述第二柵電極的另一端與所述漏極之間的垂直距離的寬度中至少一個寬度的值為0.5μm以上5μm以下。

12.一種氧化物半導體晶體管的制造方法，用于制造作為顯示裝置的像素元件的氧化物半導體晶體管，其特征在于，包括：

在所述基板上形成第一柵電極的步驟；

在所述第一柵電極上依次形成柵極絕緣膜、氧化物半導體層及蝕刻阻擋的步驟；

在所述柵極絕緣膜、所述氧化物半導體層及所述蝕刻阻擋上形成源極/漏極的步驟；

在所述源極/漏極上形成保護層的步驟；以及

在所述保護層上形成第二柵電極及電連接所述第一柵電極與所述第二柵電極的連接電極的步驟，

其中，所述第二柵電極的寬度短于所述源極與所述漏極之間的寬度。

13.根據權利要求12所述的氧化物半導體晶體管的制造方法，其特征在于：

所述第二柵電極的一端與所述源極之間的垂直距離的寬度及所述第二柵電極的另一端與所述漏極之間的垂直距離的寬度中至少一個寬度的值為0.5μm以上5μm以下。