[發明專利]In-Ce-O系濺鍍靶材及其制造方法

有效

• 申請號: 201480033152.X
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN105283578B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 佐藤啟一
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

本發明的目的在于提供一種In?Ce?O系濺鍍靶材及其制造方法，上述In?Ce?O系濺鍍靶材盡管包含可獲得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比計為O.16～0.40的Ce，也可長時間地抑制結核或異常放電的產生。所述濺鍍靶材是包含以氧化銦為主成分且含有鈰的In?Ce?O系氧化物燒結體，且在制造折射率為2.1以上的透明導電膜時使用的In?Ce?O系濺鍍靶材，上述濺鍍靶材中Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比計為0.16～0.40，且粒徑5μm以下的氧化鈰粒子分散于上述In?Ce?O系氧化物燒結體中。

技術領域

本發明涉及一種In-Ce-O系濺鍍靶材，所述In-Ce-O系濺鍍靶材在制造適用于液晶顯示器或有機電致發光顯示裝置等顯示元件、太陽電池、發光二極管等的折射率為2.1以上的透明導電膜時使用，本發明特別是涉及一種透明導電膜的制造時可防止異常放電(電弧擊穿(arcing))的In-Ce-O系濺鍍靶材及其制造方法。

背景技術

眾所周知在氧化銦中添加了鈰(Ce)的膜的折射率高，且在光學膜的設計方面為有用的材料。

例如，專利文獻1中，揭示了一種含有10質量％～40質量％的氧化鈰且剩余部分包含氧化銦的濺鍍靶材，亦即，將Ce相對于In、Ce的合計的原子比即Ce/(In+Ce)設定為0.082～0.35的范圍的In-Ce-O系濺鍍靶材，使用此種濺鍍靶材，獲得折射率為2.0以上的膜(光碟用保護膜)。

此外，上述濺鍍靶材是由In-Ce-O系氧化物燒結體制作而成，所述In-Ce-O系氧化物燒結體在利用冷等靜壓機(cold isostatic press)將混合了氧化銦原料粉末與氧化鈰原料粉末的粉末成形之后，進行燒結而獲得。然而，若長期使用如此制作的濺鍍靶材，則存在如下課題，即，在靶材表面容易產生結核(nodule)，從而引起異常放電。

而且，專利文獻2中記載了如下內容：在將Ce相對于In、Ce的合計的原子比即Ce/(In+Ce)設定為0.005～0.15的范圍的In-Ce-O系濺鍍靶材中，通過將分散于氧化銦中的氧化鈰粒子的直徑設為5μm以下，而可防止上述異常放電。

然而，上述專利文獻2也記載了如下內容：作為光學膜，為了獲得高折射率(折射率例如為2.1以上)而需要增加Ce的添加量，若伴隨添加量的增加而Ce/(In+Ce)超過上述0.15，則氧化鈰粒子的粒徑會超過5μm，從而引起異常放電(參照專利文獻2的段落0028)，在增加Ce的添加量的情況下，存在難以獲得可防止異常放電的良好的濺鍍靶材的問題。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2005-243187號公報(參照權利要求書)

[專利文獻2]日本專利特開2005-290458號公報(參照權利要求書)

發明內容

發明要解決的課題

本發明著眼于上述問題而完成，其課題在于提供一種In-Ce-O系濺鍍靶材，即便所述In-Ce-O系濺鍍靶材的Ce相對于In、Ce的合計的原子比、亦即Ce/(In+Ce)超過上述0.15，也可抑制靶材表面的上述結核的產生而防止異常放電，本發明還提供In-Ce-O系濺鍍靶材的制造方法。

解決問題的技術手段

為了解決上述課題本發明人進行了積極研究后發現：通過進行原料粉末的更嚴格的微細化處理，即便在Ce相對于In、Ce的合計的原子比即Ce/(In+Ce)超過了0.15而處于0.16～0.40的范圍內，也可將經電子探針微量分析器(Electron Probe Micro Analyzer，EPMA)分析而檢測的In-Ce-O系氧化物燒結體中的氧化鈰粒子的結晶粒徑調整為5μm以下，結果，抑制上述靶材表面的結核的產生，從而可抑制電弧擊穿的產生。