[發(fā)明專利]In-Ce-O系濺鍍靶材及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480033152.X
• 申請(qǐng)日: 2014-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN105283578B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤啟一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友金屬礦山株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

1.一種In-Ce-O系濺鍍靶材，包含以氧化銦為主成分、且含有鈰的In-Ce-O系氧化物燒結(jié)體，且在制造波長550nm下的折射率為2.1以上的透明導(dǎo)電膜時(shí)使用，所述In-Ce-O系濺鍍靶材的特征在于：

Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比計(jì)為0.16～0.40，并且

粒徑5μm以下的氧化鈰粒子分散于所述In-Ce-O系氧化物燒結(jié)體中，進(jìn)而

所述In-Ce-O系氧化物燒結(jié)體的相對(duì)密度為95％以上，電阻率為7mΩ·cm以上且50mΩ·cm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的In-Ce-O系濺鍍靶材，其特征在于：分散于所述In-Ce-O系氧化物燒結(jié)體中的氧化鈰粒子的粒徑為4μm以下。

3.一種In-Ce-O系濺鍍靶材的制造方法，其是制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的In-Ce-O系濺鍍靶材的方法，所述In-Ce-O系濺鍍靶材的制造方法的特征在于包括：

氧化鈰粉末粉碎步驟，利用濕式粉碎法將氧化鈰原料粉末粉碎至根據(jù)粒度分布求出的累積90％粒徑D90為0.5μm以上且1.0μm以下為止；

混合粉末漿料粉碎步驟，將經(jīng)粉碎的所述氧化鈰粉末與氧化銦原料粉末加以混合而形成混合粉末漿料，并利用濕式粉碎法將所述混合粉末漿料粉碎至根據(jù)粒度分布求出的累積90％粒徑D90為0.7μm以上且1.0μm以下為止；

造粒粉制造步驟，對(duì)經(jīng)粉碎的所述混合粉末漿料添加有機(jī)粘合劑，并進(jìn)行噴霧及干燥而獲得造粒粉；

成形體制造步驟，將所獲得的造粒粉加壓成形而獲得成形體；以及

燒結(jié)體制造步驟，對(duì)所獲得的成形體進(jìn)行煅燒而獲得In-Ce-O系氧化物燒結(jié)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的In-Ce-O系濺鍍靶材的制造方法，其特征在于：在將Ce/(In+Ce)原子比設(shè)為A且0.16≦A≦0.40時(shí)，

所述氧化鈰粉末粉碎步驟中的根據(jù)粒度分布求出的氧化鈰粉末的累積90％粒徑D90為0.5μm≦D90≦-1.5×A+1.15μm。