[發明專利]有機電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201480032213.0
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN105264685B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 咸允慧;李政炯
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機電子器件的制造方法，所述有機電子器件包括基板，在所述基板上形成有器件區域和墊片區域，所述器件區域包括依次疊置的第一電極層、有機層、和第二電極層，所述墊片區域與所述第一電極層或第二電極層電連接，所述方法包括：

至少在所述基板的所述墊片區域中形成第一聚合物膜；

在所述基板的未形成所述第一聚合物膜的區域中形成第二聚合物膜；

在形成有所述第一聚合物膜和所述第二聚合物膜的所述基板的整個表面上形成無機材料層；以及

使所述第一聚合物膜剝離，以除去所述墊片區域中的所述無機材料層和所述第一聚合物膜，

其中所述第一聚合物膜包括與所述墊片區域的粘合強度低或不粘附到所述墊片區域的疏水性材料，所述第二聚合物膜包括對所述無機材料層具有粘合性的親水性材料。

2.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第一聚合物膜是通過化學氣相沉積(iCVD)形成的。

3.根據權利要求2所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第一聚合物膜是在壓強為200mT至1T的范圍內形成的。

4.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第一聚合物膜的厚度形成為100nm以上。

5.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第一聚合物膜包括烴基或鹵代烴基。

6.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第一聚合物膜是使用式1化合物形成的：

[式1]

其中R1為氫或烷基，并且R2為未取代或被至少一個鹵原子取代的烴基。

7.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述無機材料層是通過原子層沉積(ALD)形成的。

8.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述無機材料層為阻擋層。

9.根據權利要求1所述的有機電子器件的制造方法，其中所述第二聚合物膜包括羥基、環氧基、氨基、或羧基。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二聚合物膜是由(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、羥基聚亞烷基二醇(甲基)丙烯酸酯的含羧基的單體、含縮水甘油基的單體、或酰胺類單體形成的。

11.一種有機電子器件，包括：

基板；

器件區域，所述器件區域在基板上形成，并且包括依次疊置的第一電極層、有機層、和第二電極層；

墊片區域，所述墊片區域在基板上形成，并且與所述第一電極層或第二電極層電連接；

無機材料層，所述無機材料層是通過原子層沉積而形成在器件區域上的；以及

第二聚合物膜，所述第二聚合物膜形成在所述器件區域和所述無機材料層之間，

其中所述第二聚合物膜包括對通過原子層沉積形成的所述無機材料層具有粘合性的親水性材料，并且所述第二聚合物膜包括羥基、環氧基、氨基、或羧基。

12.一種用于顯示器的光源，包括權利要求11所述的有機電子器件。

13.一種照明器件，包括權利要求11所述的有機電子器件。