[發明專利]用于柔性基板的沉積平臺及其操作方法在審
| 申請號: | 201480029903.0 | 申請日: | 2014-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN105247100A | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發明(設計)人: | J·M·迭戈茲-坎波;H·蘭德格拉夫;T·斯托利;S·海因;F·里斯;N·莫里森 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C14/56;C23C16/509;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 柔性 沉積 平臺 及其 操作方法 | ||
技術領域
本發明的實施方式涉及薄膜處理設備,尤其涉及沉積系統,并且更具體地涉及卷到卷(roll-to-roll,R2R)沉積系統及其操作方法。本發明的實施方式尤其涉及用于處理柔性基板的設備,并提供了利用第一沉積源和至少一個第二沉積源來將至少兩層沉積于基板上的方法。
背景技術
對柔性基板(諸如塑料膜或箔)的處理在封裝行業、半導體行業和其他行業中需求較高。處理可包括用所需材料(諸如金屬(尤其是鋁)、半導體和介電材料)涂布柔性基板、在基板上進行用于所需應用的蝕刻以及其他處理步驟。執行此任務的系統一般包括處理滾筒(drum)(例如,圓柱形輥),處理滾筒耦接至處理系統以運輸基板,并在其上處理所述基板的至少一部分。由此,卷到卷涂布系統可提供高生產量系統。
通常,蒸發工藝(諸如熱蒸發工藝等)可用于將可被金屬化的金屬薄層沉積到柔性基板上。然而,卷到卷沉積系統在顯示器行業和光伏行業中的需求也正經歷強勁增加。例如,觸摸面板元件、柔性顯示器和柔性PV模塊導致在卷到卷涂布機中沉積合適層的需求增加,尤其是以較低制造成本。然而,這種裝置通常具有數層,這些層通常會利用CVD工藝且尤其還利用PECVD工藝制造。
以不同的氣體混合物和/或不同工作壓力作用的若干CVD、PECVD和/或PVD源的組合面臨對優越工藝氣體分離的需求,以便在后續工藝步驟中避免交叉污染影響并確保長期工藝穩定性。一般來說,后續在不同R2R涂布機中執行復雜薄膜層結構的沉積,每個R2R涂布機按特定沉積技術需求來進行設計。然而,這個概念導致所制造設備的擁有成本(CoO)較高。
鑒于與液晶顯示器(LCD)相比,OLED顯示器反應時間更快、視角更大、對比度更高、重量更輕、功率更低、并且具有對柔性基板的順從性(amenability),最近,OLED顯示器已在顯示器應用中經獲得大量關注。除了用在OLED中的有機材料之外,還開發了許多聚合物材料以用于小分子、柔性有機發光二極管(FOLED)以及聚合物發光二極管(PLED)顯示器。這些有機材料和聚合物材料中的許多材料對于在一系列的基板上進行復雜、多層裝置制造而言是柔性的,使得它們對于各種透明多色顯示器應用(諸如薄平板顯示器(FPD)、電泵浦有機激光器以及有機光放大器)是理想的。
多年以來,顯示裝置中的各層已演變成其中每層提供不同功能的多個層。將多個層沉積于多個基板上可能需要多個處理腔室。傳送多個基板通過多個處理腔室可能減少基板產量。因此,本領域中需要用于處理這種OLED結構、半導體結構和其他現代更精密的裝置的有效方法和設備,以便確保最大化基板生產量并且減少基板傳送。
發明內容
鑒于上述內容,提供用于處理柔性基板的設備,以及利用第一沉積源和至少一個第二沉積源來將至少兩層沉積于基板上的方法。本發明的另外方面、優點、以及特征從從屬權利要求、說明書和附圖中顯而易見。
根據一個實施方式,提供用于處理柔性基板的設備。所述設備包括:真空腔室,所述真空腔室具有第一腔室部分、第二腔室部分及第三腔室部分;退繞軸和纏繞軸,所述退繞軸用于支撐待處理的基板,所述纏繞軸用于支撐具有薄膜沉積于其上的柔性基板,其中所述退繞軸和所述纏繞軸被布置在第一腔室部分中;至少一個間隙閘門,用于使第一腔室部分與第二腔室部分分離,其中所述間隙閘門被配置成使得柔性基板可從其中移動通過,并且所述間隙閘門可打開和關閉以便提供真空密封;涂布滾筒,所述涂布滾筒具有旋轉軸和彎曲的外表面,用于沿著所述彎曲的外表面引導基板通過第一真空處理區域以及至少一個第二真空處理區域,其中所述涂布滾筒的第一部分被設置在第二腔室部分內,并且涂布滾筒的剩余部分被設置在第三腔室部分內;對應于所述第一處理區域的第一處理站以及對應于所述至少一個第二真空處理區域的至少一個第二處理站,其中所述第一處理站和所述第二處理站各自包括用于提供真空連接的凸緣部分。另外,所述第三腔室部分具有凸形腔室壁部分,其中所述第三腔室部分具有設置在其中的至少兩個開口,具體來說,其中所述至少兩個開口基本上平行于所述凸形腔室壁部分;并且其中所述第一處理站和所述至少一個第二處理站被配置成接收在所述至少兩個開口中,其中所述第一處理站和所述第二處理站的所述凸緣部分提供與所述第三腔室部分的真空密封連接。
附圖說明
因此,為了詳細理解本發明的上述特征結構的方式,上文簡要概述的本發明的更具體的描述可以參照實施方式進行。附圖涉及本發明的實施方式并描述于下文:
圖1示出根據本文所述實施方式的用于沉積或涂布薄膜的卷到卷沉積設備的示意圖;
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





