[發明專利]用于柔性基板的沉積平臺及其操作方法在審
| 申請號: | 201480029903.0 | 申請日: | 2014-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN105247100A | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發明(設計)人: | J·M·迭戈茲-坎波;H·蘭德格拉夫;T·斯托利;S·海因;F·里斯;N·莫里森 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C14/56;C23C16/509;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 柔性 沉積 平臺 及其 操作方法 | ||
1.一種用于處理柔性基板的設備,所述設備包括:
真空腔室,所述真空腔室具有第一腔室部分、第二腔室部分以及第三腔室部分;
退繞軸和纏繞軸,所述退繞軸用于支撐待處理的所述柔性基板,所述纏繞軸用于支撐具有薄膜沉積在其上的所述柔性基板,其中所述退繞軸和所述纏繞軸被布置在所述第一腔室部分中;
至少一個間隙閘門,用于使所述第一腔室部分與所述第二腔室部分分離,其中所述間隙閘門被配置成使得所述柔性基板可從其中移動通過并且所述間隙閘門可打開和關閉以便提供真空密封;
涂布滾筒,所述涂布滾筒具有旋動軸和彎曲的外表面,用于沿著所述彎曲的外表面引導所述基板通過第一真空處理區域以及至少一個第二真空處理區域,其中所述涂布滾筒的第一部分被設置在所述第二腔室部分中,并且所述涂布滾筒的剩余部分被設置在所述第三腔室部分中;
對應于所述第一處理區域的第一處理站以及對應于所述至少一個第二真空處理區域的至少一個第二處理站,其中所述第一處理站和所述第二處理站各自包括:
凸緣部分,所述凸緣部分用于提供真空連接;
其中所述第三腔室部分具有凸形腔室壁部,其中所述第三腔室部分具有設置在其中的至少兩個開口,具體來說,其中所述至少兩個開口基本上平行于所述凸形腔室壁部分;并且其中所述第一處理站和所述至少一個第二處理站被配置成接收在所述至少兩個開口中,其中所述第一處理站和所述第二處理站的所述凸緣部分提供與所述第三腔室部分的真空密封連接。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于,所述涂布滾筒的所述彎曲的外表面與所述凸緣部分和/或所述凸形壁部分的距離為從10mm至500mm。
3.根據權利要求1至2中任一項所述的設備,其特征在于,所述第一沉積站和所述至少一個第二沉積站部分地設置在所述第三腔室部分內并且部分地設置在所述第三腔室部分外。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的設備,其特征在于,所述第二腔室部分具有占一定容積的排空區域,并且所述第三腔室部分具有占另一容積的另一排空區域,并且其中所述容積與所述另一容積的比率為至少2:1,具體地是3:1至6:1。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的設備,其特征在于,所述第二腔室部分具有占一定容積的排空區域,并且所述第三腔室部分具有占另一容積的另一排空區域,并且其中所述容積與所述另一容積的比率通過容積減少塊而增加至至少7:1。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的設備,其特征在于,所述第一沉積站和所述至少一個第二沉積站被配置成當相對于所述涂布滾筒的所述軸線沿徑向方向插入時,接收在所述至少兩個開口中。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的設備,其特征在于,所述涂布滾筒的所述第一部分與所述涂布滾筒的所述剩余部分的比率為0.8:1或更大,具體地是1.1:1或更大,更具體地為約2:1。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的設備,其特征在于,所述第一沉積站和所述至少一個第二沉積站的所述凸緣部分被設置在所述涂布滾筒的所述軸線的下方。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的設備,其特征在于,所述第一腔室部分基本位于所述第二腔室部分上方,并且所述第二腔室部分位于所述第三腔室部分上方。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的設備,其進一步包括:n個引導輥,其中所述n個引導輥被設置成在所述退繞軸與所述涂布滾筒之間以及在所述涂布滾筒與所述纏繞軸之間引導所述柔性基板,并且其中2<=n<=6。
11.根據權利要求10所述的設備,其特征在于,所述n個引導輥的包角的總和為20°至360°。
12.根據權利要求10到11中任一項所述的設備,其特征在于,所述n個引導輥被布置成在所述柔性基板背側上接觸所述柔性基板。
13.根據權利要求1至12中任一項所述的設備,其特征在于,至少所述第一沉積站具有彎曲表面,其中電極的彎曲表面被成形成使得所述電極具有基本上相對于所述涂布滾筒的表面平行的表面。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的設備,其特征在于,所述處理站為包括沉積源的沉積站。
15.根據權利要求1至14中任一項所述的設備,其特征在于,所述處理站為用于蝕刻所述基板或沉積薄膜的蝕刻站。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





