[發明專利]在存儲器中共享支持電路

有效

• 申請號: 201480028683.X
• 申請日: 2014-04-14
• 公開（公告）號: CN105229745B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 丹沢徹
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器裝置，其包括：

存儲器群組，其中所述存儲器群組包括：

數個漏極選擇裝置；以及

數個存儲器單元串，其經配置以選擇性地耦合到共同源極，其中所述群組的所述數個串中的每一者耦合到所述數個漏極選擇裝置中的相應多個漏極選擇裝置；以及

支持電路，其對應于所述群組，其中對應于所述群組的所述支持電路經配置以選擇所述數個串中的個別串且其中所述支持電路包括：

數個選擇晶體管，其耦合到所述數個漏極選擇裝置以便于選擇個別存儲器單元串，其中選擇晶體管的數目小于漏極選擇裝置的數目。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述支持電路進一步包括耦合到所述數個漏極選擇裝置的數個取消選擇晶體管，其中取消選擇晶體管的數目小于漏極選擇裝置的所述數目。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述數個漏極選擇裝置包括數個上漏極選擇裝置及數個下漏極選擇裝置，其中所述群組的所述數個串中的每一者耦合到所述數個上漏極選擇裝置的相應上漏極選擇裝置及所述數個下漏極選擇裝置的相應下漏極選擇裝置。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述數個選擇晶體管包括數個上漏極選擇柵極選擇晶體管及數個下漏極選擇柵極選擇晶體管。

5.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其中上漏極選擇柵極選擇晶體管的數目大于下漏極選擇柵極選擇晶體管的數目。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中上漏極選擇柵極選擇晶體管的所述數目是下漏極選擇柵極選擇晶體管的所述數目的兩倍。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述數個選擇晶體管中的每一者經配置以選擇性地提供數個漏極選擇柵極控制信號中的相應一者，其中漏極選擇柵極控制信號的所述數目小于所述群組的漏極選擇裝置的所述數目。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器群組包括存儲器塊。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器群組包括至少兩個存儲器塊，其中所述數個選擇晶體管的個別選擇晶體管耦合到：

耦合到所述至少兩個塊的第一塊中的串的漏極選擇裝置；以及

耦合到所述至少兩個塊的第二塊中的串的漏極選擇裝置。

10.一種存儲器裝置，其包括：

第一存儲器單元串，其耦合到多個漏極選擇裝置；以及

第二存儲器單元串，其耦合到多個漏極選擇裝置，

其中耦合到所述第一存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置中的至少一者與耦合到所述第二存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置中的至少一者共享共同支持電路，其中所述共同支持電路包括多個選擇晶體管，其中所述多個選擇晶體管的每一者耦合到所述多個漏極選擇裝置中的多個漏極選擇裝置以便于選擇所述第一存儲器單元串或所述第二存儲器單元串，且其中所述選擇晶體管的數目小于耦合到所述第一存儲器單元串和所述第二存儲器單元串的全部漏極選擇裝置的總數目。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述共同支持電路進一步包括多個取消選擇晶體管。

12.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中耦合到所述第一存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置中的至少一者與耦合到所述第二存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置中的至少一者共享共同支持電路包括：耦合到所述第一存儲器單元串的上漏極選擇裝置與耦合到所述第二存儲器單元串的上漏極選擇裝置共享所述共同支持電路。

13.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中耦合到所述第一存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置進一步包括下漏極選擇裝置，且其中所述存儲器裝置進一步包括耦合到上漏極選擇裝置及下漏極選擇裝置的第三存儲器單元串，其中耦合到所述第三存儲器單元串的所述下漏極選擇裝置與耦合到所述第一存儲器單元串的所述下漏極選擇裝置共享共同支持電路。

14.根據權利要求13所述的存儲器裝置，其中耦合到所述第二存儲器單元串的所述多個漏極選擇裝置進一步包括下漏極選擇裝置，且其中耦合到所述第二存儲器單元串的所述下漏極選擇裝置不與耦合到所述第一存儲器單元串的所述下漏極選擇裝置共享共同支持電路。