[發(fā)明專利]在存儲(chǔ)器中共享支持電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480028683.X
• 申請(qǐng)日: 2014-04-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105229745B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丹沢徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/04
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/04;G11C16/06
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 路勇

優(yōu)先申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張2013年4月17日申請(qǐng)的第13/864,733號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容以引用方式并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及存儲(chǔ)器且特定實(shí)施例涉及在存儲(chǔ)器中共享支持電路。

背景技術(shù)

快閃存儲(chǔ)器裝置已發(fā)展成用于大范圍電子應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器的普遍來(lái)源。快閃存儲(chǔ)器的一般用途包含個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字媒體播放器、數(shù)字記錄器、游戲、家電、車(chē)輛、無(wú)線裝置、蜂窩電話及可裝卸存儲(chǔ)器模塊。快閃存儲(chǔ)器裝置通常使用允許高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低功率消耗的單晶體管存儲(chǔ)器單元。通過(guò)對(duì)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(例如浮動(dòng)?xùn)艠O)的編程、捕捉層或其它物理現(xiàn)象，單元的閾值電壓中的變化確定每一單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元通常被布置成具有可被組織為存儲(chǔ)器單元的串聯(lián)串的多個(gè)群組(舉例來(lái)說(shuō)，塊)的存儲(chǔ)器陣列。支持電路可用以在存儲(chǔ)器單元串的群組中選擇數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器串的個(gè)別串以編程、讀取或擦除選定串的單元。

圖1說(shuō)明用于選擇及取消選擇相應(yīng)選定及取消選定的存儲(chǔ)器塊100、101中的存儲(chǔ)器單元的個(gè)別串聯(lián)串的典型現(xiàn)有技術(shù)支持電路150、151。由于數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器塊可共享相同的存取線(舉例來(lái)說(shuō)，字線)及數(shù)據(jù)線(舉例來(lái)說(shuō)，位線)，所以應(yīng)僅選擇針對(duì)特定存儲(chǔ)器操作(舉例來(lái)說(shuō)，編程、讀取、擦除)而被存取的存儲(chǔ)器塊。

圖1展示存儲(chǔ)器塊100(其經(jīng)選擇用于特定存儲(chǔ)器操作(舉例來(lái)說(shuō)，編程、讀取、擦除))及存儲(chǔ)器塊101(其經(jīng)取消選擇以使得其存儲(chǔ)器單元不受字線WL0到WL32、位線110及/或源極111上的信號(hào)影響)。每一存儲(chǔ)器塊100、101展示為具有兩個(gè)典型存儲(chǔ)器單元的串聯(lián)串120到123，其表示(舉例來(lái)說(shuō))每一塊中的多個(gè)串聯(lián)串(舉例來(lái)說(shuō)，0到15)。每一串聯(lián)串120到123可耦合到：相應(yīng)漏極選擇裝置125到128，其可用以響應(yīng)于局部漏極選擇柵極控制信號(hào)SGD0到SGD15而選擇性地將相應(yīng)串聯(lián)串耦合到位線110；及相應(yīng)源極選擇裝置130到133，其可用以響應(yīng)于局部源極選擇柵極控制信號(hào)SGS而將相應(yīng)串聯(lián)串耦合到源極111。

為了清楚的目的，所展示的支持電路150、151表示用于選擇性地將單一全局字線GWL0耦合到局部字線WL0且將單一全局漏極選擇柵極GSGD0耦合到局部漏極選擇柵極SGD0的典型電路。對(duì)于選定塊100，字線選擇晶體管103及漏極選擇柵極選擇晶體管105展示為由高信號(hào)BLKSEL(n)啟用。漏極選擇柵極取消選擇晶體管106展示為由低信號(hào)BLKSELb(n)停用。類(lèi)似地，對(duì)于取消選定塊101，字線選擇晶體管107及漏極選擇柵極選擇晶體管108展示為由低信號(hào)BLKSEL(n)停用，而漏極選擇柵極取消選擇晶體管109展示為由高信號(hào)BLKSELb(n)啟用。

從圖1可見(jiàn)，每一字線可分別由選擇/取消選擇晶體管103、107選擇且每一漏極選擇柵極可分別由兩個(gè)選擇/取消選擇晶體管105、108及106、109選擇。雖然未展示，但源極選擇柵極也可各自使用兩個(gè)選擇/取消選擇晶體管。由于典型存儲(chǔ)器裝置可能具有數(shù)十萬(wàn)個(gè)字線及選擇柵極，所以可了解，存儲(chǔ)器裝置的支持電路可使用大量的集成電路裸片有效面積，其可能更好由額外存儲(chǔ)器單元使用以實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)器密度。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的一個(gè)方面涉及一種存儲(chǔ)器裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器群組，其中所述存儲(chǔ)器群組包括：數(shù)個(gè)漏極選擇裝置；以及數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元串，其經(jīng)配置以選擇性地耦合到共同源極，其中所述群組的所述數(shù)個(gè)串中的每一者耦合到所述數(shù)個(gè)漏極選擇裝置中的相應(yīng)多者；以及支持電路，其對(duì)應(yīng)于所述群組，其中對(duì)應(yīng)于所述群組的所述支持電路經(jīng)配置以選擇所述數(shù)個(gè)串中的個(gè)別串且其中所述支持電路包括：數(shù)個(gè)選擇晶體管，其耦合到所述數(shù)個(gè)漏極選擇裝置，其中選擇晶體管的數(shù)目小于漏極選擇裝置的數(shù)目。本申請(qǐng)的另一方面涉及一種存儲(chǔ)器裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置包括第一存儲(chǔ)器單元串，其耦合到多個(gè)漏極選擇裝置；以及第二存儲(chǔ)器單元串，其耦合到多個(gè)漏極選擇裝置，其中耦合到所述第一存儲(chǔ)器單元串的所述多個(gè)漏極選擇裝置中的至少一者與耦合到所述第二存儲(chǔ)器單元串的所述多個(gè)漏極選擇裝置中的至少一者共享共同支持電路，其中所述共同支持電路包括多個(gè)選擇晶體管，且其中所述選擇晶體管的數(shù)目小于耦合到所述第一存儲(chǔ)器單元串和所述第二存儲(chǔ)器單元串的漏極選擇裝置的數(shù)目。