[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201480027415.6
• 申請日: 2014-11-13
• 公開（公告）號: CN105793964A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 前川和義;河野祐一
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導(dǎo)體器件，具有：

半導(dǎo)體基板；

形成在所述半導(dǎo)體基板上的多層布線層；

形成于所述多層布線層的最上層的焊盤電極；

在所述焊盤電極上有開口的絕緣膜；

形成在所述絕緣膜上的基底金屬膜；

形成在所述基底金屬膜上的再布線；以及

形成為覆蓋所述再布線的上表面以及側(cè)面的覆蓋金屬膜，

在所述再布線的外側(cè)區(qū)域，在形成在所述再布線的側(cè)壁上的所述 覆蓋金屬膜與所述絕緣膜之間，形成有所述基底金屬膜，

所述再布線與所述基底金屬膜由不同材料形成，

所述再布線與所述覆蓋金屬膜由不同材料形成，

在所述再布線的外側(cè)區(qū)域，所述基底金屬膜與所述覆蓋金屬膜直 接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

存在于所述再布線的外側(cè)區(qū)域的所述基底金屬膜的膜厚與所述 覆蓋金屬膜的膜厚之和，比所述再布線之下的所述基底金屬膜的膜厚 厚。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述覆蓋金屬膜由包含第一覆蓋屏蔽膜、第二覆蓋屏蔽膜的層疊 膜形成，

所述第一覆蓋屏蔽膜是Ti膜，

所述第二覆蓋屏蔽膜是Pd膜，

所述基底金屬膜是含Ti膜以及TiN膜的層疊膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述再布線以Cu為主成分而構(gòu)成，

所述焊盤電極以Al為主成分而構(gòu)成，

所述再布線的膜厚比所述焊盤電極的膜厚厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

在形成在所述再布線上的所述第二覆蓋金屬膜上有銅線。

6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

(a)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序，所述半導(dǎo)體基板具有多層布線層 和形成于所述多層布線層的最上層的焊盤電極；

(b)形成在所述焊盤電極上有第一開口的第一絕緣膜的工序；

(c)在所述第一絕緣膜上形成經(jīng)由所述第一開口與所述焊盤電 極電連接的基底金屬膜的工序；

(d)在所述基底金屬膜上形成經(jīng)由所述基底金屬膜與所述焊盤 電極電連接的再布線的工序；以及

(e)形成覆蓋所述再布線的上表面以及側(cè)面的覆蓋金屬膜的工 序，

所述工序(e)包括：

(e-1)在所述半導(dǎo)體基板的主面上形成覆蓋金屬材料膜的工序； 以及

(e-2)通過對所述第一絕緣膜上的所述覆蓋金屬材料膜進行蝕 刻，形成所述覆蓋金屬膜的工序，

所述工序(e-2)中的所述蝕刻，在所述基底金屬膜的一部分存在 于所述再布線的外側(cè)區(qū)域的狀態(tài)下實施，

在所述工序(e-2)之后，在所述再布線的外側(cè)區(qū)域，所述基底金 屬膜與所述覆蓋金屬膜直接接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述再布線與所述基底金屬膜由不同材料形成，

所述再布線與所述覆蓋金屬膜由不同材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述覆蓋金屬膜材料由包含第一覆蓋屏蔽膜、第二覆蓋屏蔽膜以 及第三覆蓋屏蔽膜的層疊膜形成，

所述基底金屬膜與所述第三覆蓋屏蔽膜含同一材料。