[發明專利]用于半導體處理腔室的經涂布的襯里組件

在審

• 申請號: 201480026803.2
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN105210173A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 約瑟夫·M·拉內什;薩瑟施·庫珀奧;凱拉什·基蘭·帕塔雷;保羅·布里爾哈特
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

技術領域

本文公開用于半導體處理的設備。更具體地，本文公開的實施方式關于用于半導體處理腔室中的經涂布的襯里組件。

背景技術

半導體基板經處理以用于各式各樣的應用，這些應用包括集成裝置與微型裝置(microdevice)的制造。一種處理基板的方法包括沉積諸如介電材料或導電金屬之類的材料于基板的上表面上。外延是沉積處理的一種，外延廣泛地用于半導體處理中，以形成薄材料層于半導體基板上。這些層通常界定半導體器件的某些小特征，且若要求結晶材料的電氣特性，則可能需要這些層具有高質量的晶體結構。通常將提供沉積前驅物至其中設置有基板的處理腔室。之后基板被加熱至有助于生長具有所期望特性的材料層的溫度。

通常所期望的是，沉積膜(depositedfilm)具有均勻的厚度、成分與結構于基板表面各處。局部的基板溫度、氣流、與前驅物濃度的變化可導致基板上所形成的沉積膜具有不均勻的膜厚度、不均勻且不可重復的膜特性。在處理期間，處理腔室通常將維持(maintain)處于真空，典型地低于10Torr。用以加熱基板的熱能通常由熱燈(heatlamp)來提供，這些熱燈定位于處理腔室外，以避免引入污染物。高溫計用于處理腔室中，以測量基板的溫度。但是，因來自加熱源的散射輻射能介入(artifact)的緣故，基板溫度的精確測量是困難的。

因此，仍需要具有改良的溫度控制、溫度測量的外延處理腔室，以及操作此種腔室以改良沉積均勻性與可重復性的方法。

發明內容

本文公開的實施方式關于用于半導體處理腔室中的經涂布的襯里組件。在一個實施方式中，一種用于半導體處理腔室中的襯里組件包括：襯里主體，該襯里主體具有圓柱環形狀；以及涂層，該涂層涂覆該襯里主體，其中該涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的。

在另一個實施方式中，一種用于沉積介電層于基板上的設備包括：處理腔室，該處理腔室具有內部空間，該內部空間界定于該處理腔室的腔室主體中；襯里組件，該襯里組件設置于該處理腔室中，其中該襯里組件進一步包括：襯里主體，該襯里主體具有圓柱環形狀；以及涂層，該涂層涂覆該襯里主體的外壁并且面向該腔室主體，其中該涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的。

在又一個實施方式中，一種用于沉積介電層于基板上的設備包括：處理腔室，該處理腔室具有內部空間，該內部空間界定于該處理腔室的腔室主體中；襯里組件，該襯里組件設置于該處理腔室中，其中該襯里組件進一步包括：襯里主體，該襯里主體具有圓柱環形狀；以及涂層，該涂層涂覆于該襯里主體的外壁上并且面向該腔室主體，其中該涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的，該涂層由選自碳化硅、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨、黑石英、泡沫石英(bubblequartz)、硅和黑色著色的滑爽涂料(blackpigmentedslipcoating)的材料所制成。

附圖說明

因此，以可詳細理解本發明的上述特征的方式，可通過參照實施方式來獲得上文簡要概述的本發明的更具體的描述，這些實施方式中的一些實施方式圖示于附圖中。但是，應注意的是，這些附圖僅圖示本發明的典型實施方式，且因此不應被視為對本發明范圍的限制，因為本發明可容許其他等效實施方式。

圖1是根據本發明的一個實施方式的處理腔室的示意剖視圖；

圖2A繪示可用于圖1的處理腔室中的襯里組件的示意頂部等角視圖(isometricview)；

圖2B繪示圖2A中所繪示的襯里組件的橫截面視圖；

圖3A繪示可用于圖1的處理腔室中的另一襯里組件的示意頂部等角視圖；及

圖3B繪示圖3A中所繪示的襯里組件的橫截面視圖。

為促進理解，已盡可能使用相同的附圖標記來標示各圖所共有的相同元件。應預期，在一個實施方式中公開的元件可有益地用于其他實施方式而無需具體敘述。

具體實施方式

本發明的實施方式大體關于用于沉積材料于基板上的設備與方法，該設備具有經涂布的襯里組件。經涂布的襯里組件可協助吸收從附近環境所反射的光，以便將干擾(interference)最小化，該干擾在基板溫度測量處理期間可降低使用高溫計所獲得的溫度測量的精確性，該高溫計設置于處理腔室上。在一個實施方式中，襯里組件可具有涂層，該涂層由介電材料制成，該涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的。