[發明專利]用于半導體處理腔室的經涂布的襯里組件

在審

• 申請號: 201480026803.2
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN105210173A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 約瑟夫·M·拉內什;薩瑟施·庫珀奧;凱拉什·基蘭·帕塔雷;保羅·布里爾哈特
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于半導體處理腔室中的襯里組件，所述襯里組件包括：

襯里主體，所述襯里主體具有圓柱環形狀；及

涂層，所述涂層設置于所述襯里主體上，其中所述涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的。

2.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述襯里主體由光學上透明或半透明的材料制成。

3.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述襯里主體由石英制成。

4.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述涂層由包含下列項目之群組制成：碳化硅、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨、黑石英、泡沫石英、硅和黑色著色的滑爽涂料。

5.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述涂層具有在約5μm與約100μm之間的厚度。

6.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述涂層借助CVD、PVD、等離子體噴涂、燒結浸漬、旋涂法和燒結法、火焰噴涂、刷涂、浸涂、輥涂、絲網涂布而形成于所述襯里組件的內壁上。

7.如權利要求1所述的襯里組件，其中所述襯里主體包括頂表面與底表面，所述頂表面與所述底表面由內壁與外壁連接。

8.如權利要求7所述的襯里組件，其中所述涂層設置于所述襯里主體的所述內壁或外壁上。

9.一種外延沉積腔室，所述外延沉積腔室包括權利要求1的所述襯里組件。

10.如權利要求9所述的襯里組件，其中所述襯里組件可從所述處理腔室移除。

11.一種用于沉積介電層于基板上的設備，所述設備包括：

處理腔室，所述處理腔室具有內部空間，所述內部空間界定于所述處理腔室的腔室主體中；

襯里組件，所述襯里組件設置于所述處理腔室中，其中所述襯里組件進一步包括：

襯里主體，所述襯里主體具有圓柱環形狀；及

涂層，所述涂層涂覆所述襯里主體的外壁并且面向所述腔室主體，其中所述涂層在介于約200nm與約5000nm之間的一個或更多個波長下是不透明的。

12.如權利要求11所述的設備，其中襯里主體由光學上透明或半透明的材料制成。

13.如權利要求11所述的設備，其中襯里主體由石英制成。

14.如權利要求11所述的設備，其中從包含下列項目之群組所選擇的材料來制成所述涂層：碳化硅、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨、黑石英、泡沫石英、硅和黑色著色的滑爽涂料。

15.如權利要求11所述的設備，其中所述襯里組件可從所述處理腔室移除。