[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201480026440.2
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105190900B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 川尻智司;小川嘉壽子
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1導電型的第1半導體區域；

第2導電型的第2半導體區域，其配置于所述第1半導體區域的上方；

第1導電型的第3半導體區域，其配置于所述第2半導體區域的上方；

第2導電型的第4半導體區域，其配置于所述第3半導體區域的上方；

絕緣膜，其配置于槽的內壁上，所述槽從所述第4半導體區域的上表面起延伸并貫通所述第4半導體區域和所述第3半導體區域而到達所述第2半導體區域；

控制電極，其在所述槽的側面被配置于所述絕緣膜上，并與所述第3半導體區域相對；

第1主電極，其與所述第1半導體區域電連接；

第2主電極，其與所述第4半導體區域電連接；以及

底面電極，其在所述槽的底面被配置于所述絕緣膜的上方，并且所述底面電極被配置為與所述控制電極分離，

在俯視時，所述槽的延伸方向上的長度比所述槽的寬度大，并且，所述槽的寬度比彼此相鄰的所述槽的間隔寬，

所述底面電極具有主體部和連接部，所述主體部配置于所述槽的底面，所述連接部將該主體部與所述第2主電極電連接，

所述連接部與所述主體部的延伸方向上的端部側相連接，并且所述連接部被配置于所述控制電極的第1控制電極和第2控制電極彼此相對的區域的端部側或該區域的外側。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1導電型的第1半導體區域；

第2導電型的第2半導體區域，其配置于所述第1半導體區域的上方；

第1導電型的第3半導體區域，其配置于所述第2半導體區域的上方；

第2導電型的第4半導體區域，其配置于所述第3半導體區域的上方；

絕緣膜，其配置于槽的內壁上，所述槽從所述第4半導體區域的上表面起延伸并貫通所述第4半導體區域和所述第3半導體區域而到達所述第2半導體區域；

控制電極，其在所述槽的側面被配置于所述絕緣膜上，并與所述第3半導體區域相對；

第1主電極，其與所述第1半導體區域電連接；以及

第2主電極，其與所述第4半導體區域電連接；以及

底面電極，其在所述槽的底面被配置于所述絕緣膜的上方，并且被配置為與所述控制電極分離，

在俯視時，所述槽的面積比形成在相鄰的所述槽之間的半導體區域的面積大，

所述底面電極具有主體部和連接部，所述主體部配置于所述槽的底面，所述連接部將該主體部與所述第2主電極電連接，

所述連接部與所述主體部的延伸方向上的端部側相連接，并且所述連接部被配置于所述控制電極的第1控制電極和第2控制電極彼此相對的區域的端部側或該區域的外側。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極與所述第2主電極電連接。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述控制電極具有第1控制電極和第2控制電極，所述第1控制電極和第2控制電極設置于所述槽的第1側面和與所述第1側面相對的第2側面，并且所述第1控制電極和第2控制電極被配置為隔著所述絕緣膜與所述第3半導體區域相對，

所述底面電極從所述第1側面側朝所述第2側面側延伸。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極具有主體部和連接部，所述主體部配置于所述槽的底面，所述連接部將該主體部和所述第2主電極電連接，

在俯視時，所述主體部形成為帶狀，并且在所述槽的延伸方向上延伸，所述連接部在所述槽的深度方向上延伸。