[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件的制造方法以及半導(dǎo)體封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480025592.0
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN105378912B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 二村政范;竹田滋紀(jì);立井芳直;杉浦勢
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L23/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

在向半導(dǎo)體封裝件的貫通孔(30)形成鍍層(40)時，將在第1以及第2層疊體(10、20)形成的第1以及第2空腔(15a、15b(、25a、25b))置于內(nèi)側(cè)而使第1以及第2層疊體(10、20)重疊，并在周緣區(qū)域(R₀)使用粘接劑進行接合，將第1以及第2層疊體(10、20)的空腔設(shè)為密閉空間，以將包含第1以及第2層疊體(10、20)的接合面在內(nèi)的一部分留下的方式形成貫通孔(30)。然后，對貫通孔(30)進行通孔鍍敷，由此形成鍍層(40)，將周緣區(qū)域(R₀)作為切削余量即切除區(qū)域進行切除，并且沿著切割線(DL)割離為多個，形成半導(dǎo)體封裝件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝件的制造方法以及半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

當(dāng)前，通常，半導(dǎo)體封裝件具有用于收容半導(dǎo)體元件的凹部(以下還稱為半導(dǎo)體元件收容用空腔或空腔)和使各電極層導(dǎo)通的導(dǎo)通孔即通孔。

通常的工序如下。

工序0.在由絕緣材質(zhì)構(gòu)成的板體(以下稱為絕緣片)形成空腔用孔、形成電路

工序1.將在工序0中形成的絕緣片和粘接層層疊

工序2.通孔的開孔加工

工序3.向通孔、層疊體底面以及頂面實施鍍敷

工序4.通過蝕刻去除層疊體底面以及頂面的鍍層的不需要的部分

工序5.涂覆阻焊劑、圖案化

工序6.鍍金

工序7.通過切割而單片化

然而，存在下述課題，即，在進行通孔鍍敷時，在半導(dǎo)體元件收容用空腔整體附著鍍層，使搭載半導(dǎo)體元件的芯片鍵合用電極和導(dǎo)線鍵合用電極等電極間發(fā)生短路。

因此，在專利文獻1中公開有下述技術(shù)。提出有如下的技術(shù)：在上述工序3中向通孔、層疊體的底面、頂面實施鍍敷時，為了避免在半導(dǎo)體元件收容用空腔上附著鍍層，將半導(dǎo)體元件收容用空腔利用絕緣片密閉，在鍍敷工序結(jié)束后，作為工序4對絕緣片的一部分進行去除加工，形成半導(dǎo)體元件收容用空腔。之后通過切割而實施單片化。

專利文獻1：日本特公平2-5014號公報

發(fā)明內(nèi)容

然而，根據(jù)上述專利文獻1記載的技術(shù)，存在用于形成空腔的絕緣片去除加工花費工時，成本高的問題。另外，存在絕緣片去除工序中產(chǎn)品被污染這樣的問題。例如，在將絕緣片利用機械加工去除的情況下產(chǎn)生粉塵。另外，在將絕緣片利用激光加工去除的情況下，產(chǎn)生稱為殘料的再凝固附著物。以上情況均導(dǎo)致半導(dǎo)體元件的芯片鍵合、導(dǎo)線鍵合的接合可靠性下降。進而，還存在下述問題，在空腔開口部配置透鏡等光學(xué)部件的情況下，由切削引起的毛刺或由激光加工引起的殘料導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件和光學(xué)部件的接合可靠性下降。

本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于得到一種不增加工時且容易地制造層疊型半導(dǎo)體封裝件的方法，該層疊型半導(dǎo)體封裝件不存在由向空腔內(nèi)附著的鍍層導(dǎo)致的短路的可能性，可靠性高。