[發明專利]半導體封裝件的制造方法以及半導體封裝件

有效

• 申請號: 201480025592.0
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN105378912B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 二村政范;竹田滋紀;立井芳直;杉浦勢
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L23/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體封裝件的制造方法，包含下述工序：

形成第1層疊體，該第1層疊體具有第1絕緣性樹脂板和第1中間層，該第1絕緣性樹脂板具有第1以及第2主面，該第1中間層層疊在所述第2主面，具有構成至少一個第1空腔的開口部；

形成第2層疊體，該第2層疊體具有第2絕緣性樹脂板和第2中間層，該第2絕緣性樹脂板具有第1以及第2主面，該第2中間層層疊在所述第2主面，具有構成至少一個第2空腔的開口部；

在所述第1以及第2中間層的至少一方的周緣區域選擇性地形成粘接劑，以將所述第1以及第2空腔彼此堵住的方式將所述第1以及第2中間層接合；

形成與所述周緣區域相比在內側到達至包含所述第1以及第2層疊體的接合面在內的一部分的非貫通孔；

在所述非貫通孔形成鍍層；以及

沿著包含所述非貫通孔并將所述第1以及第2層疊體貫通的切割線，對所述第1以及第2層疊體進行割離，

形成具有所述第1空腔的第1封裝件以及具有第2空腔的第2封裝件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法，

所述第1以及第2中間層在沒有形成所述粘接劑的區域經由剝離片接合。

3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝件的制造方法，

形成所述第1以及第2層疊體的工序具有下述工序：

對具有將各層貫通的開口部的所述第1以及第2中間層進行形狀加工；以及

在所述第1以及第2絕緣性樹脂板分別經由粘接層分別層疊第1以及第2中間層。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件的制造方法，

所述粘接層是熱固化樹脂。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件的制造方法，

所述第1以及第2絕緣性樹脂板是玻璃環氧基板。

6.根據權利要求1或2所述的半導體封裝件的制造方法，

所述進行割離的工序是將所述第1以及第2層疊體分別割離為多個半導體封裝件的工序。

7.根據權利要求1或2所述的半導體封裝件的制造方法，

所述第1中間層在沿所述切割線割離的一個區域內具有多個開口部。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制造方法，

所述第1中間層由多層構成，

在沿所述切割線割離的一個區域內，具有在所述多層中的最外層不貫通的第1開口部、和貫通至最外層的第2開口部，

形成具有深度不同的多個空腔的半導體封裝件。

9.一種半導體封裝件的制造方法，包含下述工序：

形成層疊體，該層疊體具有絕緣性樹脂板和中間層，該絕緣性樹脂板具有第1以及第2主面，該中間層層疊在所述第2主面，具有構成至少一個空腔的開口部；

在所述中間層的周緣區域選擇性地形成粘接劑，以將所述空腔堵住的方式將蓋板與所述中間層接合；

形成與形成有所述粘接劑的所述周緣區域相比在內側到達至包含與所述蓋板的接合面在內的所述中間層的一部分的非貫通孔；

在所述非貫通孔內形成鍍層；以及

沿著包含所述非貫通孔的切割線，將所述層疊體割離，并且將所述蓋板去除，

形成在第2主面側具有空腔的半導體封裝件。

10.一種半導體封裝件的制造方法，包含下述工序：

形成第1層疊體，該第1層疊體具有第1絕緣性樹脂板和第1中間層，該第1絕緣性樹脂板具有第1以及第2主面，該第1中間層層疊在所述第2主面，具有構成至少一個第1空腔的開口部；

形成第2層疊體，該第2層疊體具有第2絕緣性樹脂板和第2中間層，該第2絕緣性樹脂板具有第1以及第2主面，該第2中間層層疊在所述第2主面，具有構成至少一個第2空腔的開口部；

在所述第1以及第2中間層的至少一方的周緣區域選擇性地形成粘接劑，以將所述第1以及第2空腔彼此堵住的方式將所述第1以及第2中間層接合；

形成貫通孔，該貫通孔是與所述周緣區域相比在內側將所述第1以及第2層疊體貫通的；

在所述貫通孔形成鍍層；以及

沿著包含所述貫通孔并將所述第1以及第2層疊體貫通的切割線，對所述第1以及第2層疊體進行割離，

形成具有所述第1空腔的第1封裝件以及具有第2空腔的第2封裝件。