[發明專利]機械制造的對準基準方法和對準系統

有效

• 申請號: 201480023770.6
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN105143987B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: T.桑德斯特羅姆
• 申請（專利權）人: 麥克羅尼克邁達塔有限責任公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F1/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳金林

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年3月12日提交的美國臨時申請No.61/777469的權益，該美國臨時申請通過引用并入本文。

本申請涉及題名為“METHOD AND APPARATUS FOR MURA DETECTION AND METROLOGY”的美國專利No.8160351(MLSE 1078-2,P00314)和題名為“PSM ALIGNMENT METHOD AND DEVICE”的美國專利No.7411651(MLSE 1042-2,P00183)。本申請還涉及相同發明人的題名為“CRISS-CROSS WRITING STRATEGY”的美國專利申請No.13/314063(MLSE 1118-2,P00377)和題名為“WRITING APPARATUSES AND METHODS”的美國專利申請No.11/586614(HDP drum)。本申請進一步涉及相同發明人的題名為“METHOD AND DEVICE FOR WRITING PHOTOMASKS WITH REDUCED MURA ERRORS”的美國臨時申請(MLSE 1140-1,P)。所涉及的申請通過引用并入本文。

技術領域

本公開的技術涉及可用于減少已知為波紋(mura)的可見偽影(artifact)的方法和系統。特別地，本公開的技術涉及通過物理修改工件上的曝光或輻射敏感材料層的外觀來制造對準標記，然后使用這些對準標記或這些標記的轉印的正像(direct image)或反向像(inverted image)來重新對準曝光寫入通過(exposure writing passes)之間的寫入坐標系，接著在寫入系統(writing system)內物理移動工件。所述物理修改包括將標記機械按壓進層中，使用激光器來灰化或燒蝕所述層，或者將墨或其它物質施加到激光器表面。

背景技術

現有對準系統通常通過基底制造器將所涉及的精確放置的標記(比如在基底中鉆出的孔)添加到基底。這些標記需要通過施加在掩?；咨系囊粋€或多個曝光敏感層或其它材料層而得以檢測。已描述了添加到掩模母版、掩模和其它工件的廣泛范圍的標記類型。通常，對準標記光刻地添加到暴露在基底上的第一層中。還描述了用于對準的許多光學系統。

出現了一個機會，即提供更好的對準系統用于寫入小特征，尤其是更好的對準系統用于大面積掩模。可得到制造更少可見偽影的更好掩模。

發明內容

再次，本公開的技術涉及可用于減少已知為波紋的可見偽影的方法和系統。特別地，本公開的技術涉及通過物理修改工件上的曝光或輻射敏感材料層的外觀來制造對準標記，然后使用這些對準標記或這些對準標記的轉印的正像或反向像來重新對準曝光寫入通過之間的寫入坐標系，接著在寫入系統內物理移動工件。所述物理修改包括將標記機械按壓進層中，使用激光器來灰化或燒蝕所述層，或者將墨或其它物質施加到激光器表面。本公開的技術的特定方面在權利要求書、說明書和附圖中得到描述。

附圖說明

圖1示出涂覆抗蝕劑的表面的機械壓痕，該壓痕足夠深以到達下面的材料中。

圖2示出在移除工具之后的壓痕。

圖3示出光學檢測器或相機300如何看見和測量壓痕200的位置，還示出如何在圖案340和345的情況下曝光光致抗蝕劑。

圖4示出在已打開曝光區域的顯影之后且在蝕刻期間的工件，在蝕刻期間，蝕刻介質405消耗膜105(例如鉻膜)，并打開溝槽，在溝槽中，曝光抗蝕劑410、411，還凹入抗蝕劑415。

圖5是剝除剩余抗蝕劑，沉積第二膜500和光致抗蝕劑的第二層505，相機300檢測和測量通過蝕刻轉印進鉻中的基準的位置，第二層的圖案的寫入530、535在與基準510對準之后完成。

圖6示出具有精確覆蓋的兩個圖案。

圖7示出利用壓痕工具和預定沖擊能管理單個撞擊的概念裝置。

圖8A-8D示出在工藝期間的各步驟的基準組，圖8A是抗蝕劑中的壓痕，圖8B是圖3的光學像，圖8C示出在蝕刻之前，下面的膜中的壓痕，圖8D是圖5中的蝕刻的基準的光學像。

圖9示出以具有不同傾斜角的兩次通過傾斜寫入工件。

圖10A-10D示出形成不用化學處理便能光學可見的基準的幾種方法。

圖11A-11F示出基于附加基準的示例工藝，附加基準借助陰影化在抗蝕劑曝光、抗蝕劑顯影和蝕刻期間將所形成的轉印到下面的層。