[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造中使用的粘接片、切割帶一體型粘接片、半導(dǎo)體裝置、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480020512.2
• 申請(qǐng)日: 2014-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN105102566B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 志賀豪士;高本尚英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09J7/30
• 分類號(hào): C09J7/30;C09J11/04;C09J133/00;H01L21/301;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種粘接片，其特征在于，其為半導(dǎo)體裝置的制造中使用的粘接片，

所述粘接片含有平均粒徑小于0.1μm的填料和丙烯酸類樹脂，

所述填料的含量相對(duì)于粘接片整體在20～45重量％的范圍內(nèi)，

所述丙烯酸類樹脂的含量相對(duì)于全部樹脂成分在40～70重量％的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述粘接片為用于形成在半導(dǎo)體元件的背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接于被粘物上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料的最大粒徑為0.5μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料為二氧化硅系填料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接片，其特征在于，未固化狀態(tài)的23℃下的拉伸儲(chǔ)能模量為1.0GPa～3.0GPa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料的平均粒徑為0.05μm以下。

7.一種切割帶一體型粘接片，其特征在于，其為在切割帶上層疊有權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的粘接片的切割帶一體型粘接片，

所述切割帶為在基材上層疊有粘合劑層的結(jié)構(gòu)，所述粘接片層疊于所述粘合劑層上。

8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其是使用權(quán)利要求7所述的切割帶一體型粘接片而制造的。

9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其為使用了權(quán)利要求7所述的切割帶一體型粘接片的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法具備以下工序：

在所述切割帶一體型粘接片中的粘接片上貼附半導(dǎo)體晶圓的工序；

切割所述半導(dǎo)體晶圓而形成半導(dǎo)體元件的工序；

將所述半導(dǎo)體元件與所述切割帶一體型粘接片一起從切割帶的粘合劑層剝離的工序；和

將所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接到被粘物上的工序。