[發明專利]用于制作電子部件的層積體和層積體制造方法、膜傳感器和具備膜傳感器的觸控面板裝置、以及將濃度梯度型金屬層進行成膜的成膜方法

有效

• 申請號: 201480019138.4
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN105102219B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 高橋正泰;中島達司
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: B32B15/08
• 分類號: B32B15/08;B32B7/02;C23C14/14;C23C14/20;G06F3/041
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 丁香蘭,孟偉青

技術領域

本發明涉及用于制作膜傳感器等電子部件的層積體和層積體制造方法。另外，本發明涉及膜傳感器和具備膜傳感器的觸控面板裝置。

背景技術

目前，作為輸入手段，廣泛使用觸控面板裝置。觸控面板裝置包含膜傳感器(觸控面板傳感器)、用于檢測在膜傳感器上的接觸位置的控制電路、配線和FPC(柔性印刷基板)。多數情況下，觸控面板裝置作為針對組裝有液晶顯示屏或等離子體顯示屏等顯示裝置的各種裝置等(例如，售票機、ATM裝置、移動電話、游戲機)的輸入手段而與顯示裝置同時使用。在這樣的裝置中，膜傳感器被配置在顯示裝置的顯示面上，由此能夠對顯示裝置進行極為直接的輸入。膜傳感器中的與顯示裝置的顯示區域面對的區域是透明的，膜傳感器的該區域構成能夠檢測接觸位置(接近位置)的活動區域(active area)。

膜傳感器等電子部件通常由用于實現光學特性的層、用于實現電氣特性的層等多個層構成。作為用于制作這樣的電子部件的方法，已知有下述方法：首先準備包含基材膜和透明導電層、含有金屬的遮光導電層等多個層的層積體，接著利用照相平版印刷法等對該層積體的任意層進行圖案化。

作為制造層積體的方法之一，已知有下述方法：首先準備基材膜，接下來，利用濺射法、EB蒸鍍法等物理蒸鍍成膜法在基材膜上層積透明導電層、遮光導電層。例如在專利文獻1中公開了下述內容：使用濺射法在聚酯膜上形成ITO層，其后使用濺射法在ITO層上形成鉻層，由此得到用于制作膜傳感器的層積體。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平4-160624號公報

發明內容

在使用照相平版印刷法等將層積體圖案化之后、或者在圖案化后的制造工序時，為了防止圖案化后的層積體表面發生損傷，有時在層積體的表面貼上保護膜。這樣的保護膜在最終裝運前通常被剝掉。此時，若透明導電層與遮光導電層之間的密合力小，則在剝落保護膜時遮光導電層可能從透明導電層上部分地剝離。這樣的剝離在遮光導電層中包含以銀為主成分并同時含有銅和鈀的Ag-Pd-Cu系銀合金、即所謂APC合金的情況下變得特別顯著。

本發明是考慮到這樣的方面而進行的，其目的在于提供充分確保了透明導電層與遮光導電層之間的密合力的層積體及這樣的層積體的制造方法。

本發明涉及一種層積體，其具備：基材膜；第1透明導電層，其設置在上述基材膜的一側，具有透光性和導電性；第1遮光導電層，其設置在上述第1透明導電層的一側；以及第1中間層，其按照與上述第1透明導電層和上述第1遮光導電層這兩者相接的方式設置在上述第1透明導電層與上述第1遮光導電層之間；上述第1中間層包含第1合金和第2合金；上述第1遮光導電層包含上述第2合金；與上述第2合金相比，上述第1合金對上述第1透明導電層的密合力高。

本發明的層積體中，優選與上述第1合金相比，上述第2合金對堿性溶液的耐性高。

本發明的層積體中，上述第1中間層可以按照下述方式構成：隨著從上述第1透明導電層與上述第1中間層之間的界面向上述第1中間層與上述第1遮光導電層之間的界面，每單位體積中的上述第1合金的含量降低，并且每單位體積中的上述第2合金的含量增高。

本發明的層積體的上述第1中間層中，優選上述第1合金的含量與上述第2合金的含量之比為1:1～1:15的范圍內。

本發明的層積體中，上述第1合金可以含有MoNb合金、上述第2合金可以含有APC合金。

本發明的層積體可以進一步具備：第2透明導電層，其設置在上述基材膜的另一側，具有透光性和導電性；第2遮光導電層，其設置在上述第2透明導電層的另一側；以及第2中間層，其按照與上述第2透明導電層和上述第2遮光導電層這兩者相接的方式設置在上述第2透明導電層與上述第2遮光導電層之間。此處，上述第2中間層包含上述第1合金和上述第2合金；上述第2遮光導電層包含上述第2合金。

本發明涉及層積體制造方法，該方法具備下述工序：準備中間層積體的工序，該中間層積體包含基材膜以及第1透明導電層，該第1透明導電層設置在上述基材膜的一側，具有透光性和導電性；通過使用了含有第1合金的第1靶材和含有第2合金的第2靶材的成膜法，在上述第1透明導電層的一側的面上形成第1中間層的工序；以及，通過使用了含有上述第2合金的靶材的成膜法，上述第1中間層的一側的面上形成第1遮光導電層的工序；與上述第2合金相比，上述第1合金對上述第1透明導電層的密合力高。