[發明專利]用于制作電子部件的層積體和層積體制造方法、膜傳感器和具備膜傳感器的觸控面板裝置、以及將濃度梯度型金屬層進行成膜的成膜方法

有效

• 申請號: 201480019138.4
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN105102219B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 高橋正泰;中島達司
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: B32B15/08
• 分類號: B32B15/08;B32B7/02;C23C14/14;C23C14/20;G06F3/041
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 丁香蘭,孟偉青

1.一種層積體，其具備：

基材膜；

第1透明導電層，其設置在所述基材膜的一側，具有透光性和導電性；

第1遮光導電層，其設置在所述第1透明導電層的一側；以及

第1中間層，其按照與所述第1透明導電層和所述第1遮光導電層這兩者相接的方式設置在所述第1透明導電層與所述第1遮光導電層之間；

所述第1中間層包含第1合金和第2合金；

所述第1遮光導電層包含所述第2合金，

所述第1遮光導電層不包含所述第1合金；

與所述第2合金相比，所述第1合金對所述第1透明導電層的密合力高；

所述第1合金含有MoNb合金，

所述第2合金含有APC合金。

2.如權利要求1所述的層積體，其中，與所述第1合金相比，所述第2合金對堿性溶液的耐性高。

3.如權利要求1所述的層積體，其中，所述第1中間層按照下述方式構成：隨著從所述第1透明導電層與所述第1中間層之間的界面向所述第1中間層與所述第1遮光導電層之間的界面，每單位體積中的所述第1合金的含量降低，并且每單位體積中的所述第2合金的含量增高。

4.如權利要求1～3任一項所述的層積體，其中，所述層積體進一步具備：

第2透明導電層，其設置在所述基材膜的另一側，具有透光性和導電性；

第2遮光導電層，其設置在所述第2透明導電層的另一側；以及

第2中間層，其按照與所述第2透明導電層和所述第2遮光導電層這兩者相接的方式設置在所述第2透明導電層與所述第2遮光導電層之間；

所述第2中間層包含所述第1合金和所述第2合金；

所述第2遮光導電層包含所述第2合金。

5.一種層積體制造方法，其具備下述工序：

準備中間層積體的工序，該中間層積體包含基材膜和第1透明導電層，該第1透明導電層設置在所述基材膜的一側并具有透光性和導電性；

通過成膜法在所述第1透明導電層的一側的面上形成第1中間層的工序，該成膜法使用了含有第1合金的第1靶材和含有第2合金的第2靶材；以及

通過成膜法在所述第1中間層的一側的面上形成第1遮光導電層的工序，該成膜法使用了含有所述第2合金的靶材；

與所述第2合金相比，所述第1合金對所述第1透明導電層的密合力高；

所述第1遮光導電層不包含所述第1合金，

所述第1合金含有MoNb合金，

所述第2合金含有APC合金。

6.如權利要求5所述的層積體制造方法，其中，與含有所述第2合金的所述第2靶材相比，含有所述第1合金的所述第1靶材被配置在所述中間層積體的傳送方向的上游側。

7.一種膜傳感器，其具備：

基材膜；

第1透明導電圖案，其以規定的圖案設置在所述基材膜的一側，具有透光性和導電性；以及

第1取出圖案，其以規定的圖案設置在第1透明導電圖案上，具有遮光性和導電性；

所述第1取出圖案包含設置在第1透明導電圖案上的第1中間層、以及設置在所述第1中間層上的第1遮光導電層；

所述第1中間層包含第1合金和第2合金；

所述第1遮光導電層包含所述第2合金，

所述第1遮光導電層不包含所述第1合金；

與所述第2合金相比，所述第1合金對所述第1透明導電圖案的密合力高；

所述第1合金含有MoNb合金，

所述第2合金含有APC合金。

8.一種觸控面板裝置，其包含膜傳感器和控制電路，該控制電路檢測在所述膜傳感器上的接觸位置，其中，所述膜傳感器具備權利要求7所述的膜傳感器。

9.一種成膜方法，其為在被傳送的被成膜體上進行濃度梯度型金屬層的成膜的成膜方法，其中，

該方法具備下述工序：在被間隔壁區劃出的1個區域內對第1靶材和第2靶材施加放電電力，在所述被成膜體上形成所述金屬層；

與所述第2靶材相比，所述第1靶材被配置在所述被成膜體的傳送方向的上游側；

所述第1靶材由第1合金構成，所述第2靶材由與所述第1合金不同的第2合金構成；

與所述第2合金相比，所述第1合金對所述被成膜體的表面的密合力高；

所述第1合金含有MoNb合金，

所述第2合金含有APC合金。