[發(fā)明專利]納米粒子區(qū)分裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480018345.8 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN105143499A | 公開(公告)日: | 2015-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 內(nèi)山直樹 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社渥美精機(jī) |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 劉曉迪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 粒子 區(qū)分 裝置 | ||
1.一種納米粒子區(qū)分裝置,其特征在于,包括:
多個室,其串聯(lián)排列,相互由分隔壁分隔開;
生成室,其配設(shè)有應(yīng)蒸發(fā)的材料,并且配置在所述多個室中的一端部;
多個成膜室,其配設(shè)有用于將由所述材料生成的納米粒子成膜的基板,為所述多個室中的除了所述生成室之外的室;
多個連通管,其為了將相鄰的所述多個室相互連通而分別貫通所述分隔壁設(shè)置;
氣體導(dǎo)入管,其與所述生成室連通,用于將冷卻氣體導(dǎo)入;
真空配管,其與所述多個室中的在最遠(yuǎn)離所述生成室的位置配置的室即高真空室連通,用于抽真空。
2.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置,其特征在于,
所述連通管為以相同直徑形成的直線形狀,所述多個連通管以隨著從所述高真空室接近所述生成室而使內(nèi)徑變大的方式分別使內(nèi)徑不同。
3.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置,其特征在于,
所述多個成膜室隨著接近所述生成室而使體積變大。
4.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置,其特征在于,
所述多個成膜室具有用于隨著接近所述生成室而將所述多個成膜室的溫度提高的溫度調(diào)節(jié)器。
5.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置,其特征在于,
相鄰的所述多個連通管使軸線相互錯開而配設(shè)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





