[發明專利]保護膜形成用復合片

有效

• 申請號: 201480017872.7
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN105074878B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 米山裕之;佐伯尚哉
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 王利波

技術領域

本發明涉及例如以保護半導體為目的的在粘合片上形成保護膜形成用膜而成的保護膜形成用復合片，特別是涉及兼具保護膜形成用膜和切割膠帶的功能的保護膜形成用復合片。

背景技術

近年來，使用被稱為倒裝方式的安裝方法進行了半導體裝置的制造。在倒裝方式中，半導體芯片的形成有凸塊等電極的芯片表面與基板等對置并接合，另一方面，芯片背面露出，因此，用保護膜進行了保護。保護膜可以通過例如樹脂涂敷等來形成，近年來也逐漸采用通過將保護膜形成用膜粘貼在半導體晶片的背面來形成的方法。

另外，眾所周知，將半導體晶片對每個電路進行單片化而制成半導體芯片時，為了固定半導體晶片，要在半導體晶片的背面粘貼切割膠帶。

為了降低制造成本、簡化工序等，保護膜形成用膜和切割膠帶有時被一體化，以保護膜形成用復合片的形式被使用。具體而言，保護膜形成用復合片是在粘合片的粘合劑面上粘貼保護膜形成用膜而構成的(參考專利文獻1～4等)，所述粘合片是在基材上設置粘合劑層而成的。在專利文獻1、2中公開了以下內容：在該保護膜形成用復合片中，將粘合劑層與保護膜形成用膜的剝離力調節至特定的范圍。在專利文獻3、4中公開了一種通過放射線輻射而降低對倒裝片型半導體背面用膜的粘合力的放射線固化型粘合劑層、通過放射線輻射而預固化的粘合劑層。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-151362號公報

專利文獻2：日本特開2012-33637號公報

專利文獻3：日本特開2011-228450號公報

專利文獻4：日本特開2011-228451號公報

發明內容

發明要解決的課題

通常，上述保護膜形成用復合片形成卷狀或片的疊層品而進行輸送、使用，在這種情況下，保護膜形成用復合膜上粘貼有保護用的剝離膜。剝離膜在將保護膜形成用復合片粘貼于晶片上時被剝離去除，但在剝離膜的剝離去除的同時，保護膜形成用膜與粘合劑層之間有時會發生層間剝離。

但是，如果使用發生了層間剝離的保護膜形成用復合片制成半導體芯片，則存在因粘合劑層導致晶片保持性能變差而在切割時發生不良情況、保護膜保護半導體芯片的性能降低的情況。

另外，在保護膜形成用復合片粘貼于晶片上、并通過切割工序而使晶片成為芯片后，通常在保護膜固化前將各帶保護膜的芯片從粘合劑層上剝離。但是，如果粘合劑層與保護膜形成用膜的剝離力增高，則在芯片剝離時會對芯片施加過大的力，有時會產生芯片缺損等芯片不良。

上述層間剝離、芯片不良可以如專利文獻1、2所述那樣通過對粘合劑層與保護膜形成用膜的剝離力進行調節來在某種程度上防止其中任一種情況，但是難以充分地防止上述兩種情況。

本發明是鑒于以上問題而完成的，其課題在于提供一種保護膜形成用復合片，所述保護膜形成用復合片不僅能防止將剝離膜剝離時粘合劑層與保護膜形成用膜之間的層間剝離，而且能夠拾取帶保護膜的半導體芯片且不會產生芯片不良。

解決課題的方法

本發明人等進行了深入研究，結果發現，為了在拾取帶保護膜的半導體芯片時不易引起芯片不良，不僅要使粘合劑層與保護膜形成用膜的剝離力的最大值為給定值以下，而且要防止粘合劑層與保護膜形成用膜之間的層間剝離，為此也需要控制它們之間的剝離力最小值。而且發現，不僅要使其最小值大于給定的值，還需要使其最小值與保護膜形成用膜和剝離膜的剝離力之比為給定的值，從而完成了以下的本發明。

即，本發明提供以下的[1]～[5]。

[1]一種保護膜形成用復合片，其具備：在基材上設置粘合劑層而形成的粘合片、粘貼在所述粘合劑層上的保護膜形成用膜、和粘貼在所述保護膜形成用膜的與粘貼在粘合劑層上的面相反側的面上的剝離膜，

在試驗片寬度25mm、剝離角度180度、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/min下測定時，將所述保護膜形成用膜與剝離膜之間的剝離力最大值設為α(mN/25mm)、將所述粘合片與保護膜形成用膜之間的剝離力最小值設為β(mN/25mm)、將所述粘合片與保護膜形成用膜之間的剝離力最大值設為γ(mN/25mm)時，α、β、γ具有以下(1)～(3)的關系，

β≥70…(1)

α/β≤0.50…(2)

γ≤2000…(3)。