[發明專利]保護膜形成用復合片有效
| 申請號: | 201480017872.7 | 申請日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN105074878B | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發明(設計)人: | 米山裕之;佐伯尚哉 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護膜 形成 復合 | ||
1.一種保護膜形成用復合片,其具備:在基材上設置粘合劑層而形成的粘合片、粘貼在所述粘合劑層上的保護膜形成用膜、和粘貼在所述保護膜形成用膜的與粘貼在粘合劑層上的面相反側的面上的剝離膜,
所述保護膜形成用膜包含填充材料,在所述保護膜形成用膜中,填充材料的含量為45~80質量%,
在試驗片寬度25mm、剝離角度180度、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/min下測定時,將所述保護膜形成用膜與剝離膜之間的剝離力最大值設為α、將所述粘合片與保護膜形成用膜之間的剝離力最小值設為β、將所述粘合片與保護膜形成用膜之間的剝離力最大值設為γ時,α、β、γ具有以下(1)~(3)的關系,其中α、β、γ的單位為mN/25mm,
β≥70···(1)
α/β≤0.50···(2)
γ≤2000···(3)。
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用復合片,其中,在試驗片寬度25mm、剝離角度180度、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/min下測定時,將固化后的所述保護膜形成用膜與所述粘合片的剝離力最大值設為γ’時,滿足以下(4)的關系,其中γ’的單位為mN/25mm,
γ’≤2000···(4)。
3.根據權利要求2所述的保護膜形成用復合片,其中,所述基材為聚丙烯膜或其交聯膜,或者是它們中的至少一種膜與其它膜形成的疊層膜。
4.根據權利要求1所述的保護膜形成用復合片,其中,所述粘合劑層由使非能量線固化型粘合劑或能量線固化型粘合劑固化而得到的粘合劑形成。
5.根據權利要求2所述的保護膜形成用復合片,其中,所述粘合劑層由使非能量線固化型粘合劑或能量線固化型粘合劑固化而得到的粘合劑形成。
6.根據權利要求3所述的保護膜形成用復合片,其中,所述粘合劑層由使非能量線固化型粘合劑或能量線固化型粘合劑固化而得到的粘合劑形成。
7.一種權利要求1~6中任一項所述的保護膜形成用復合片的使用方法,該方法包括:
將剝離膜從所述保護膜形成用復合片上剝離,將所述保護膜形成用復合片的外周部粘貼在環狀框架上,并在保護膜形成用膜的中央部分粘貼半導體晶片,
將得到的半導體晶片和保護膜形成用膜的疊層體進行切割,以帶保護膜形成用膜的半導體芯片的形式單片化,并且
對單片化后的所述半導體芯片進行拾取。
8.權利要求1~6中任一項所述的保護膜形成用復合片的制造方法,該方法包括:
在剝離膜上形成保護膜形成用膜,制作保護膜形成用膜的剝離膜上載體的工序;
將基材貼合于形成在剝離膜上的粘合劑層,或者將粘合劑組合物涂布在基材上形成粘合劑層,從而制作所述粘合片的工序;以及
將所述保護膜形成用膜貼合在所述粘合片的粘合劑層面上,制作保護膜形成用復合片的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





