[發(fā)明專利]光半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480016977.0
• 申請(qǐng)日: 2014-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN105051922A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 二宮明人;伊藤久貴;大藪恭也;梅谷榮弘;三谷宗久
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/56
• 分類號(hào): H01L33/56
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

公知有一種利用密封片來(lái)密封光半導(dǎo)體元件而制造光半導(dǎo)體裝置的方法。

例如，提出有一種制造光半導(dǎo)體裝置的方法：制造具有能夠?qū)⒐獍雽?dǎo)體元件密封的密封樹脂層的光半導(dǎo)體元件密封用片，之后，將該光半導(dǎo)體元件密封用片以與光半導(dǎo)體元件搭載基板相對(duì)的方式載置，利用壓力機(jī)對(duì)該光半導(dǎo)體元件密封用片進(jìn)行加壓，由此制造光半導(dǎo)體裝置(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1。)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2011－159874號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在制造光半導(dǎo)體元件搭載基板時(shí)，首先，制造C階段前的光半導(dǎo)體元件密封用片，之后，將該光半導(dǎo)體元件密封用片出廠并輸送。然后，在出廠目的地保存(保管)光半導(dǎo)體元件密封用片之后，將該光半導(dǎo)體元件密封用片設(shè)置于載置有光半導(dǎo)體元件搭載基板的壓力機(jī)。之后，通過(guò)加壓并利用光半導(dǎo)體元件密封用片來(lái)埋設(shè)被搭載在光半導(dǎo)體元件搭載基板上的光半導(dǎo)體元件并使光半導(dǎo)體元件密封用片成為C階段，從而利用光半導(dǎo)體元件密封用片來(lái)密封光半導(dǎo)體元件。

因此，即使在長(zhǎng)時(shí)間輸送和保存光半導(dǎo)體元件密封用片，也需要預(yù)先將光半導(dǎo)體元件密封用片維持在能夠密封光半導(dǎo)體元件的C階段前的狀態(tài)。這樣一來(lái)，需要設(shè)計(jì)和管理光半導(dǎo)體元件密封用片，以便在各種環(huán)境下均能長(zhǎng)時(shí)間維持光半導(dǎo)體元件密封用片的C階段前的狀態(tài)，因此，存在制造成本乃至管理成本增大這樣的問題。

本發(fā)明的目的在于，提供一種易于管理用于密封光半導(dǎo)體元件的、C階段前的狀態(tài)的密封層并能夠提高光半導(dǎo)體裝置的制造效率的光半導(dǎo)體裝置的制造方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法是利用密封層來(lái)密封光半導(dǎo)體元件而制造光半導(dǎo)體裝置的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該光半導(dǎo)體裝置的制造方法包括密封層制造工序和密封工序，在該密封層制造工序中制造所述密封層，在該密封工序中利用所述密封層來(lái)密封所述光半導(dǎo)體元件，從在所述密封層制造工序中制得所述密封層之后到在所述密封工序中利用所述密封層來(lái)密封了所述光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為24小時(shí)以下。

采用該方法，由于從在密封層制造工序中制得密封層之后到在密封工序中利用密封層來(lái)密封了光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為短時(shí)間，因此能夠提高光半導(dǎo)體裝置的制造效率。

另外，采用該方法，由于不必長(zhǎng)時(shí)間維持密封層的C階段前的狀態(tài)，因此能夠易于設(shè)計(jì)和管理C階段前的狀態(tài)的密封層。因此，能夠提高C階段前的狀態(tài)的密封層的設(shè)計(jì)和管理的自由度。

另外，在本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在室溫條件下輸送利用所述密封層制造工序制造出來(lái)的所述密封層并將所述密封層供給至所述密封工序。

在密封層的輸送和保管需要較長(zhǎng)時(shí)間的情況下，為了防止密封層自C階段前的狀態(tài)成為C階段，需要將C階段前的狀態(tài)的密封層冷卻(冷凍)為低溫而進(jìn)行輸送和保管。

但是，采用該方法，由于自C階段前的狀態(tài)之后到C階段之前的這段時(shí)間為短時(shí)間，因此能夠在室溫條件下輸送利用密封層制造工序制造出來(lái)的C階段前的狀態(tài)的密封層并將所述密封層供給至密封工序。因此，不需要用于所述冷卻的工時(shí)和設(shè)備，其結(jié)果，能夠降低制造成本。

另外，在冷卻密封層的情況下，需要在使冷卻了的密封層返回到室溫之后利用該密封層來(lái)密封光半導(dǎo)體元件，結(jié)果會(huì)存在如下情況：當(dāng)使冷卻了的密封層在短時(shí)間內(nèi)返回到室溫時(shí)，會(huì)使密封層產(chǎn)生結(jié)露，若利用該結(jié)露了的密封層來(lái)密封光半導(dǎo)體元件，則會(huì)產(chǎn)生空隙而使光半導(dǎo)體裝置的可靠性降低。

另一方面，若為了防止密封層的結(jié)露而使冷卻了的密封層在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間后返回到室溫，則會(huì)使光半導(dǎo)體裝置的制造效率顯著降低。

但是，采用該方法，由于不需要所述冷卻，因此，也不需要使冷卻了的密封層返回到室溫，從而能夠縮短制造時(shí)間。因此，能夠降低制造成本。并且，由于還能夠防止因所述結(jié)露而產(chǎn)生的空隙，因此能夠制造可靠性較高的光半導(dǎo)體裝置。

另外，優(yōu)選的是，本發(fā)明的該光半導(dǎo)體裝置的制造方法是利用B階段的密封片來(lái)密封所述光半導(dǎo)體元件而制造所述光半導(dǎo)體裝置的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述密封層制造工序是制造B階段的所述密封片的片制造工序，在所述密封工序中，利用B階段的所述密封片來(lái)密封所述光半導(dǎo)體元件，從在所述片制造工序中制得B階段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B階段的所述密封片來(lái)密封了所述光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為24小時(shí)以下。