[發明專利]光半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201480016977.0 | 申請日： | 2014-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN105051922A | 公開（公告）日： | 2015-11-11 |
| 發明（設計）人： | 二宮明人;伊藤久貴;大藪恭也;梅谷榮弘;三谷宗久 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/56 | 分類號： | H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種光半導體裝置的制造方法，在該光半導體裝置的制造方法中，利用密封層來密封光半導體元件而制造光半導體裝置，其特征在于，
該光半導體裝置的制造方法包括密封層制造工序和密封工序，在該密封層制造工序中制造所述密封層，在該密封工序中利用所述密封層來密封所述光半導體元件，
從在所述密封層制造工序中制得所述密封層之后到在所述密封工序中利用所述密封層來密封了所述光半導體元件之前的這段時間為24小時以下。
2.根據權利要求1所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在室溫條件下輸送利用所述密封層制造工序制造出來的所述密封層并將所述密封層供給至所述密封工序。
3.根據權利要求1所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在該光半導體裝置的制造方法中，利用B階段的密封片來密封所述光半導體元件而制造所述光半導體裝置，
所述密封層制造工序是制造B階段的所述密封片的片制造工序，
在所述密封工序中，利用B階段的所述密封片來密封所述光半導體元件，
從在所述片制造工序中制得B階段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B階段的所述密封片來密封了所述光半導體元件之前的這段時間為24小時以下。
4.根據權利要求3所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，
利用所述片制造工序制造出來的B階段的所述密封片的在25℃的溫度條件下的壓縮彈性模量為0.040MPa～0.145MPa。
5.根據權利要求3所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在25℃的溫度條件下將利用所述片制造工序制造出來的B階段的所述密封片保存了24小時之際的、25℃的溫度條件下的壓縮彈性模量的增加量為0.015MPa～0.120MPa。
6.根據權利要求1所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在該光半導體裝置的制造方法中，利用A階段的密封層來密封所述光半導體元件而制造所述光半導體裝置，
在所述密封層制造工序中，制造A階段的所述密封層，
在所述密封工序中，利用A階段的所述密封層來密封所述光半導體元件，
從在所述密封層制造工序中制得A階段的所述密封層之后到在所述密封工序中利用A階段的所述密封層來密封了所述光半導體元件之前的這段時間為24小時以下。
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