[發明專利]復合銅粒子及其制造方法

無效

• 申請號: 201480016455.0
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN105073306A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 兒平壽博;佐佐木宣宏;箕輪光
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00;B22F1/02;H01B1/22;H01B5/00;H01B13/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 吳倩;張楠

1.一種復合銅粒子，其是扁平狀銅粒子與比該扁平狀銅粒子更微細的多個無機氧化物粒子復合化而成的，

所述無機氧化物粒子在所述肩平狀銅粒子的表面均勻地存在。

2.根據權利要求1所述的復合銅粒子，其中，利用激光衍射散射式粒度分布測定法得到的累積體積50體積％下的體積累積粒徑D₅₀為0.1μm以上且10μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的復合銅粒子，其中，以板面的長徑d與厚度t之比即d/t表示的長寬比為5以上且30以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的復合銅粒子，其中，所述無機氧化物粒子的由BET比表面積換算得到的粒徑相對于原料銅粒子的累積體積50體積％下的體積累積粒徑D₅₀為0.1％以上且5％以下。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的復合銅粒子，其中，利用激光衍射散射式粒度分布測定法得到的最大粒徑D_max與D₅₀之比即D_max/D₅₀的值為3以上且10以下。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的復合銅粒子，其中，所述無機氧化物與銅相比為高硬度。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的復合銅粒子，其中，多個所述無機氧化物粒子中的一部分被完全包埋于所述扁平狀銅粒子的表面附近，并且另一部分以在該扁平狀銅粒子的表面部分露出的狀態被包埋于該扁平狀銅粒子的表面。

8.一種導電性組合物，其包含權利要求1至7中任一項所述的復合銅粒子。

9.一種復合銅粒子的制造方法，其將球狀的原料銅粉與無機氧化物的粉體的混合粉使用微珠進行分散處理，使該原料銅粉的銅粒子塑性變形成扁平，并且在該銅粒子的表面配置該無機氧化物的粒子，

其中，作為所述無機氧化物的粉體，使用利用動態光散射式粒度分布測定法得到的累積體積50容量％下的體積累積粒徑D₅₀(nm)與由BET比表面積換算得到的粒徑D_BET之比即D₅₀/D_BET低于60的粉體。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中，作為所述原料銅粉的銅粒子，使用在該銅粒子的內部包含多個比該銅粒子更微細的第2無機氧化物的粒子的銅粒子，

第2無機氧化物的粒子為與所述無機氧化物的粒子相同種類的粒子或不同種類的粒子。

11.一種復合銅粒子的制造方法，其將包含第2無機氧化物的粒子的球狀的原料銅粉使用微珠進行分散處理，使該原料銅粉的銅粒子塑性變形成扁平，并且在該銅粒子的表面配置該第2無機氧化物的粒子。

12.根據權利要求10或11所述的制造方法，其中，在所述原料銅粉的銅粒子中，多個所述第2無機氧化物的粒子中的一部分被完全包埋于該銅粒子的表面附近，并且另一部分以在該銅粒子的表面部分露出的狀態被包埋于該銅粒子的表面。

13.根據權利要求9至12中任一項所述的制造方法，其中，對所述原料銅粉利用激光衍射散射式粒度分布測定法測定的最大粒徑D_max與D₅₀之比即D_max/D₅₀的值為2以上且15以下。

14.根據權利要求9至13中任一項所述的制造方法，其中，作為所述原料銅粉，使用除了銅以外還包含其他金屬元素的銅粉。