[發明專利]顯示設備有效
| 申請號: | 201480015898.8 | 申請日: | 2014-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN105051901B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 諾溫·文馬爾姆;亞歷山大·馬丁 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/40 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;高少蔚 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備(1),所述顯示設備具有至少一個半導體本體和操控電路(54),所述半導體本體具有半導體層序列(2),所述半導體層序列具有設為用于產生輻射的有源區域(20)并且形成多個像素(2a,2b),
其中
-所述操控電路(54)具有多個開關(55),所述開關分別設為用于控制至少一個像素(2a,2b);
-在所述操控電路和所述半導體本體之間設置有第一金屬化層(31)和與所述第一金屬化層電絕緣的第二金屬化層(32);
-至少一個所述第一金屬化層和至少一個所述第二金屬化層與至少一個所述像素導電地連接;并且
-所述第一金屬化層和所述第二金屬化層彼此重疊地設置,使得在所述顯示設備的俯視圖中,所述操控電路(i)在與所述像素中的一個像素重疊的每個部位上和(ii)在兩個相鄰的像素之間設置的每個部位上由所述金屬化層中的至少一個覆蓋。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,
其中所述第一金屬化層和所述第二金屬化層與所述像素中的至少一個像素導電地連接。
3.根據權利要求1所述的顯示設備,
其中所述第一金屬化層或所述第二金屬化層形成用于多個像素的共同的接觸部。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示設備,
其中所述第二金屬化層鄰接于所述半導體層序列并且在兩個相鄰的像素之間是分開的。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示設備,
其中在所述顯示設備的俯視圖中,所述第二金屬化層完全由至少一個所述半導體本體遮蓋。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示設備,
其中所述第一金屬化層為每個像素分別具有留空部,在所述留空部中,所述第二金屬化層與所述操控電路的所配設的所述開關導電地連接。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,
其中所述留空部具有環形的邊緣。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示設備,
其中所述顯示設備具有載體(5),在所述載體上設置有至少一個所述半導體本體。
9.根據權利要求8所述的顯示設備,
其中所述操控電路集成到所述載體中。
10.根據權利要求8所述的顯示設備,
其中所述操控電路設置在至少一個所述半導體本體和所述載體之間。
11.根據權利要求10所述的顯示設備,
其中所述操控電路在所述半導體本體上沉積。
12.根據權利要求10所述的顯示設備,
其中所述操控電路具有多晶半導體材料。
13.根據權利要求8所述的顯示設備,
其中在所述載體上設置有分別具有多個像素(2a,2b)的多個半導體本體(2)。
14.根據權利要求13所述的顯示設備,
其中所述第一金屬化層和所述第二金屬化層彼此重疊地設置,使得在所述顯示設備的俯視圖中,所述載體在與所述半導體本體中的一個半導體本體重疊的每個部位上或在兩個相鄰的半導體本體之間設置的每個部位上由至少一個所述金屬化層覆蓋。
15.根據權利要求8所述的顯示設備,
其中用于所述半導體層序列的生長襯底(28)被移除,并且所述載體使所述半導體層序列機械地穩定。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于歐司朗光電半導體有限公司,未經歐司朗光電半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480015898.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于制造單片白光二極管的方法
- 下一篇:造紙工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





