[發明專利]顯示設備有效
| 申請號: | 201480015898.8 | 申請日: | 2014-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN105051901B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 諾溫·文馬爾姆;亞歷山大·馬丁 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/40 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;高少蔚 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
一種顯示設備(1),所述顯示設備具有至少一個半導體本體和操控電路(54),所述半導體本體具有帶有設為用于產生輻射的有源區域(20)并且形成多個像素(2a,2b)的半導體層序列(2),其中操控電路(54)具有多個開關(55),所述開關分別設為用于控制至少一個像素(2a,2b);在操控電路和半導體本體之間設置有第一金屬化層和與第一金屬化層電絕緣的第二金屬化層;第一金屬化層和/或第二金屬化層與至少一個像素導電地連接;并且第一金屬化層和第二金屬化層彼此重疊地設置成,使得操控電路在顯示設備的俯視圖中在與像素中的一個像素重疊或在兩個相鄰的像素之間設置的每個部位處由至少一個金屬化層覆蓋。
技術領域
提出一種顯示設備。
背景技術
對于基于發光二極管的顯示設備,能夠將各個發光二極管安裝在載體上,在所述載體中集成操控電路。然而,由發光二極管放射的并且在載體中吸收的輻射能夠造成故障和退化現象。
發明內容
待實現的目的是,提出一種顯示設備,其特征在于高的可靠性和壽命穩定性。
所述目的此外通過根據本發明的顯示設備來實現。設計方案和適當方案是下面描述的主題。
根據顯示設備的至少一個實施方式,顯示設備具有至少一個半導體本體。半導體本體具有半導體層序列,所述半導體層序列具有設為用于產生輻射的有源區域并且形成多個像素。在有源區域中產生的輻射的峰值波長例如位于紫外的、可見的或紅外的光譜范圍中。有源區域例如設置在第一半導體層和第二半導體層之間,其中第一半導體層和第二半導體層適當地具有彼此不同的傳導類型。在制造顯示設備時,半導體本體的像素能夠從共同的半導體層序列得出。也就是說,半導體層、尤其半導體本體的各個像素的有源區域在其材料組成及其層厚度方面除了由制造引起的發生在橫向方向上的超過半導體晶片的波動是相同的。
橫向方向理解為平行于半導體層序列的半導體層的主延伸平面伸展的方向。
根據顯示設備的至少一個實施方式,顯示設備具有操控電路。操控電路具有多個開關,所述開關分別設為用于控制至少一個像素。
優選地,每個像素配設有至少一個開關、尤其剛好一個開關。在顯示設備運行時,每個像素能借助于所配設的開關來操控。因此,能夠同時操控多個像素,尤其同時操控所有像素以發射輻射。例如,借助于開關形成用于像素的有源矩陣操控電路。
根據顯示設備的至少一個實施方式,顯示設備具有載體。在載體上設置有至少一個半導體本體。載體例如包含半導體材料、例如硅或鍺,或陶瓷、例如氮化鋁、氧化鋁或氮化硼。
根據顯示設備的至少一個實施方式,操控電路集成到載體中。在該情況下,適合于載體的尤其有半導體材料、例如硅。“集成到載體中”在本文中表示操控電路的至少一個子區域、例如開關的半導體區域由載體形成。
根據顯示設備的至少一個實施方式,操控電路設置在至少一個半導體本體和載體之間。在該情況下,載體尤其用于半導體層序列的機械穩定進而能夠與其電子特性無關地選擇。操控電路例如借助于沉積在半導體本體上的層形成。例如,操控電路能夠具有多晶半導體材料、尤其多晶硅。為了至少一個半導體本體和載體之間的機械連接,在操控電路和載體之間能夠至少局部地設置有連接層。
根據顯示設備的至少一個實施方式,顯示設備在操控電路和半導體本體之間具有第一金屬化層。第一金屬化層能夠與像素導電地連接、尤其分別與像素的第一半導體層導電地連接。換言之,第一金屬化層實現用于第一半導體層的接合層的功能。與此不同地,第一金屬化層能夠與像素電絕緣。因此,在該情況下,第一金屬化層不實現電功能。第一金屬化層尤其設置在載體和半導體本體之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





