[發明專利]自行定心處理屏蔽件

有效

• 申請號: 201480010488.4
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN105008581B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 瑞安·漢森;吉留剛一;尼爾森·易
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

領域

本發明的實施方式一般而言涉及物理氣相沉積處理設備。

背景

在當前的物理氣相沉積(PVD)腔室中，處理屏蔽件通常安裝至PVD腔室的主體，與靶分離。該靶通常安裝于PVD腔室的可移動蓋上，且隨后下降至該腔室主體上用于處理。然而，本發明人已發現，該配置可不理想地導致處理屏蔽件不精確地對準該靶。本發明人已發現，當施加至該靶的射頻(RF)能量的頻率增加時，對于控制任何等離子體不規則及電弧事件(所述事件可負面地影響PVD腔室內的沉積質量)，該靶與該屏蔽件之間的對準變得更加重要。當前的PVD腔室使用與該靶及該處理屏蔽件分離的特征結構，以對準這兩個組件。然而，本發明人已注意到，這樣的特征結構不能充分對準該靶及該處理屏蔽件。

因此，本發明人已提供用于PVD處理的改良裝置。

概述

本文提供用于物理氣相沉積的方法和裝置。在一些實施方式中，用于具有腔室蓋(該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋的靶)的基板處理腔室中的處理屏蔽件包括：伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面和內表面，該內表面界定該主體的中央開口；唇，該唇自該主體的外表面(該主體的第一端附近的外表面)向外徑向延伸，使得該主體的第一部分向該第一端延伸超過該唇；多個開口，所述多個開口位于唇中；和銷，該銷設置于所述多個開口的每一者中，以在蓋置放于該處理屏蔽件的頂部上時使靶對準于該處理屏蔽件的頂部上，其中該銷包含：伸長主體，該伸長主體具有：第一表面，該第一表面具有斜的周緣，其中該第一表面具有第一直徑；第二表面，該第二表面與第一表面相對，其中該第二表面具有第二直徑；和側壁，該側壁位于該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑。

在一些實施方式中，本文提供處理屏蔽件，該處理屏蔽件用于在基板處理腔室中使用，該處理腔室具有腔室蓋，該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋的靶。該處理屏蔽件包含伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面和內表面，該內表面界定該主體的中央開口；唇，該唇自該主體的外表面(位于該主體之第一端附近的外表面)向外徑向延伸，使得該主體的第一部分向該第一端延伸超過該唇；三個開口，該三個開口位于唇中；以及銷，該銷設置于所述三開口的每一者中，以在蓋置放于該處理屏蔽件的頂部時，使靶對準于該處理屏蔽件的頂部上，其中各銷包含：伸長主體，該伸長主體具有：第一表面，該第一表面具有第一直徑與斜的周緣；第二表面，該第二表面與第一表面相對，且具有第二直徑；以及側壁，該側壁設置于該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑；其中所述三個銷嚙合該靶，以使該靶的外緣對準為與該主體的內表面相距第一距離。

在一些實施方式中，基板處理腔室包括：腔室主體；腔室蓋，該腔室蓋設置于該腔室主體的頂部，其中該腔室蓋包含旋轉軸，該旋轉軸配置為將該腔室蓋旋轉至該腔室主體上；靶組件，該靶組件設置于該腔室蓋之內，其中該靶組件包含耦接至背板的靶材料；和處理屏蔽件，該處理屏蔽件設置于該腔室主體之內，且位于該靶組件之下，該處理屏蔽件包含：伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面及及內表面，該內表面界定該主體的中央開口；唇，該唇自該主體的外表面(該主體之第一端附近的外表面)向外徑向延伸，使得該主體的第一部分向該第一端延伸超過該唇；多個開口，所述多個開口位于該唇中；和銷，該銷設置于所述多個開口的每一者中，以在該蓋置放于該處理屏蔽件的頂部時，使靶組件對準于該處理屏蔽件的頂部，其中該銷包含：伸長主體，該伸長主體具有第一表面，該第一表面具有斜的周緣，其中該第一表面具有第一直徑；第二表面，該第二表面與該第一表面相對，其中該第二表面具有第二直徑；和側壁，該側壁位于該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑。

以下將描述本發明的其他及另外的實施方式。

附圖簡要說明

通過參考附圖中描繪的本發明的說明性實施方式，可了解以上簡短概括及以下更詳細論述的本發明的實施方式。然而應注意，附圖僅圖示本發明的典型實施方式，且因為本發明可承認其他同等有效的實施方式，所以所述附圖并不欲視為本發明的范圍的限制。

圖1圖示根據本發明的一些實施方式的處理腔室的橫截面示意圖。

圖2圖示根據本發明的一些實施方式的處理屏蔽件的示意圖。