[發明專利]用于三維圖案形成裝置的光刻模型

有效

• 申請號: 201480009909.1
• 申請日: 2014-02-04
• 公開（公告）號: CN105074575B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 劉鵬
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

本文公開了一種計算機執行方法，用于模擬在光刻投影設備中包括一個或更多個特征的圖案形成裝置的散射輻射場，所述方法包括：使用所述一個或更多個特征的特征元素的一個或更多個散射函數確定所述圖案形成裝置的散射函數；其中一個或更多個特征中的至少一個特征為三維特征，或者所述一個或更多個散射函數表征在所述特征元素上多個入射角的入射輻射場的散射。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年2月22日遞交的美國臨時申請61/768,228的權益，其在此通過參考全文并入。

技術領域

背景技術

可以將光刻投影設備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，圖案形成裝置(例如掩模)可以包含或提供對應于IC的單個層的至少一部分的電路圖案(“設計布局”)，并且這一電路圖案可以通過例如穿過圖案形成裝置上的電路圖案輻射目標部分的方法，被轉移到已經涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或更多的管芯)上。通常，單個襯底包含被經由光刻投影設備連續地、一次一個目標部分地將電路圖案轉移到其上的多個相鄰目標部分。在一種類型的光刻投影設備中，整個圖案形成裝置上的電路圖案一下子被轉移到一個目標部分上，這樣的設備通常稱作為晶片步進機。在一種替代的設備(通常稱為步進掃描設備)中，投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)在圖案形成裝置上掃描，同時沿與該參考方向平行或反向平行的方向同步移動襯底。圖案形成裝置上的電路圖案的不同部分漸進地轉移到一個目標部分上。因為通常光刻投影設備將具有放大率因子M(通常<1)，所以襯底被移動的速度F將是投影束掃描圖案形成裝置的速度的M倍。關于在此處描述的光刻裝置的更多的信息可以例如參見美國專利No.6,046,792，在此處通過參考將其并入本文中。

在將電路圖案從圖案形成裝置轉移至襯底之前，襯底可能經歷各種工序，諸如涂底、抗蝕劑涂覆以及軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經歷其它工序，例如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤以及對所轉移的電路圖案的測量/檢驗。這一系列的工序被用作為制造器件(例如IC)的單個層的基礎。之后襯底可能經歷各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有的這些工序都是用于最終完成器件的單個層。如果器件需要多個層，那么將不得不對于每一層重復整個工序或其變形。最終，器件將設置在襯底上的每一目標部分中。之后這些器件通過諸如切片或切割等技術，將這些器件彼此分開，據此獨立的器件可以安裝在載體上，連接至引腳等。

如注意到的，微光刻術是集成電路的制造中的核心步驟，其中在襯底上形成的圖案限定了IC的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術也用于形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)以及其它器件。

隨著半導體制造工藝不斷發展，功能元件的尺寸被不斷地降低，同時每一器件的功能元件(諸如晶體管)的數量在數十年來一直遵循通常稱為“摩爾定律”的趨勢而穩步地增長。在現有技術的情形下，通過使用光刻投影設備來制造器件的層，該光刻投影設備使用來自深紫外照射源的照射將設計布局投影到襯底上，從而產生具有充分地低于100nm的尺寸的獨立的功能元件，即該功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的輻射的波長的一半。