[發(fā)明專(zhuān)利]用于三維圖案形成裝置的光刻模型

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480009909.1
• 申請(qǐng)日: 2014-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105074575B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種計(jì)算機(jī)執(zhí)行方法，用于模擬在光刻投影設(shè)備中包括一個(gè)或更多個(gè)特征的圖案形成裝置的散射輻射場(chǎng)，所述方法包括：

使用所述一個(gè)或更多個(gè)特征的特征元素的一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)確定所述圖案形成裝置的散射函數(shù)；

其中所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)表征在所述特征元素上多個(gè)入射角的入射輻射場(chǎng)的散射，且

其中所述方法還包括選擇在圖案形成裝置和投影光學(xué)裝置之間的光刻投影設(shè)備的光路上的平面作為投影光學(xué)裝置的物面，使得全局圖案偏移基本為零。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述散射輻射場(chǎng)由被圖案形成裝置散射的傾斜的入射輻射場(chǎng)產(chǎn)生。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征元素從由邊、區(qū)域、角、鄰近角、鄰近邊以及它們的組合構(gòu)成的組中選擇。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用嚴(yán)格求解器計(jì)算所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)表征從陰影效應(yīng)、依賴(lài)圖案的最佳聚焦偏移、圖案偏移以及它們的組合構(gòu)成的組中選擇的效應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中陰影效應(yīng)是非對(duì)稱(chēng)的。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中圖案偏移包括全局圖案偏移和依賴(lài)圖案的圖案偏移。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中圖案偏移由在圖案形成裝置上不同位置處的入射輻射場(chǎng)具有不同的入射角引起。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)表征在所述一個(gè)或更多個(gè)特征之中的二次散射。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)被編譯在庫(kù)中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中圖案形成裝置的散射函數(shù)通過(guò)對(duì)特征元素的一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)與和圖案形成裝置上的特征元素的位置有關(guān)的一個(gè)或更多個(gè)濾波器函數(shù)的乘積或卷積求和來(lái)計(jì)算。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括計(jì)算抗蝕劑圖像。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)濾波器函數(shù)為光刻投影設(shè)備中的源的狹縫位置的函數(shù)。

14.一種用于模擬在光刻投影設(shè)備中包括一個(gè)或更多個(gè)特征的圖案形成裝置的散射輻射場(chǎng)的裝置，所述裝置包括：

用于使用所述一個(gè)或更多個(gè)特征的特征元素的一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)確定所述圖案形成裝置的散射函數(shù)的裝置；

其中所述一個(gè)或更多個(gè)散射函數(shù)表征在所述特征元素上多個(gè)入射角的入射輻射場(chǎng)的散射，且

其中所述用于模擬在光刻投影設(shè)備中包括一個(gè)或更多個(gè)特征的圖案形成裝置的散射輻射場(chǎng)的裝置還包括選擇在圖案形成裝置和投影光學(xué)裝置之間的光刻投影設(shè)備的光路上的平面作為投影光學(xué)裝置的物面以使得全局圖案偏移基本為零的裝置。