[發明專利]利用電子碰撞電離的分析設備

有效

• 申請號: 201480009237.4
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN105051857B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 皮埃爾·沙恩
• 申請（專利權）人: 麥克斯國際有限公司
• 主分類號: H01J49/14
• 分類號: H01J49/14;H01J27/20
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 胡秋玲,鄭霞

1.一種分析設備，包括：

電子碰撞離子發生器，包括：

電子發射器；

電離目標區域，所述電離目標區域被布置為填充有將被電離的物質；以及

電子提取元件，所述電子提取元件與限定在所述電子發射器和所述電離目標區域之間的電子路徑對齊；以及

電子聚焦裝置；

其中，所述電子提取元件被配置為使電子沿著在所述電子發射器和所述電子提取元件之間的電子路徑加速遠離所述電子發射器，并使電子沿著在所述電子提取元件和所述電離目標區域之間的電子路徑減速，以及所述電子聚焦裝置被放置在所述電子發射器和所述電子提取元件之間，以將電子沿著電子路徑聚焦到所述電子提取元件。

2.根據權利要求1所述的分析設備，其中，所述電子聚焦裝置包括導電板，所述電子聚焦裝置的導電板具有通過其延伸的、與所述電子路徑對齊的聚焦孔，所述導電板在使用時是帶負電的，以提供斥力來聚焦電子。

3.根據權利要求1所述的分析設備，其中，所述電子聚焦裝置的至少一部分圍繞所述電子發射器。

4.根據權利要求2所述的分析設備，其中，所述電子聚焦裝置的至少一部分圍繞所述電子發射器。

5.根據權利要求2或4所述的分析設備，其中，所述電子聚焦裝置包括主體部分和從所述主體部分的表面在所述電子發射器的方向上延伸的壁部分，所述壁部分界定了具有向所述電子發射器延伸的遠開口端和圍繞所述聚焦孔的近開口端的外殼。

6.根據權利要求5所述的分析設備，其中，所述壁部分的所述遠開口端實質上在至少一個平面中圍繞所述電子發射器。

7.根據權利要求6所述的分析設備，其中，所述壁部分是管狀部分，該管狀部分具有界定了在所述遠開口端和所述聚焦孔之間的通道的內壁表面。

8.根據權利要求1所述的分析設備，還包括電壓電源，所述電壓電源用于在所述電子發射器和所述電離目標區域之間生成正電位差以促使所發射的電子沿著所述電子路徑向所述電離目標區域移動，并用于在所述電子發射器和所述電子提取元件之間創建正電位差，其中，在所述電子發射器和所述電子提取元件之間的所述正電位差比所述電子發射器與所述電離目標區域之間的所述正電位差大，使得電子在所述電子發射器和所述電子提取元件之間向著所述電子提取元件加速而在所述電子提取元件和所述電離目標區域之間減速。

9.根據權利要求8所述的分析設備，其中，所述電壓電源被配置以在所述電子發射器和所述電離目標區域之間生成在5V和30V之間的電位差，以在所述電離目標區域生成5eV和30eV之間的電子能。

10.根據權利要求8所述的分析設備，其中，所述電壓電源被配置以在所述電子發射器和所述電離目標區域之間生成在5V和25V之間的電位差，以在所述電離目標區域生成5eV和25eV之間的電子能。

11.根據權利要求9所述的分析設備，其中，所述電壓電源被配置以在所述電子發射器和所述電離目標區域之間生成在5V和25V之間的電位差，以在所述電離目標區域生成5eV和25eV之間的電子能。

12.根據權利要求8到11中的任一項所述的分析設備，其中，所述電壓電源被配置以在所述電子發射器和所述電離目標區域之間生成14V的電位差，以在所述電離目標區域生成14eV的電子能。

13.根據權利要求1-4和6-11中的任一項所述的分析設備，其中，所述電子提取元件包括導電板，所述電子提取元件的導電板具有穿過其形成的與所述電子路徑對齊的至少一個提取孔，所述提取孔與所述電子路徑對齊以允許電子通過所述提取孔。

14.根據權利要求5所述的分析設備，其中，所述電子提取元件包括導電板，所述電子提取元件的導電板具有穿過其形成的與所述電子路徑對齊的至少一個提取孔，所述提取孔與所述電子路徑對齊以允許電子通過所述提取孔。

15.根據權利要求12所述的分析設備，其中，所述電子提取元件包括導電板，所述電子提取元件的導電板具有穿過其形成的與所述電子路徑對齊的至少一個提取孔，所述提取孔與所述電子路徑對齊以允許電子通過所述提取孔。

16.根據權利要求13所述的分析設備，其中，所述電子提取元件包括界定了多個提取孔的網格結構。