[發(fā)明專利]復(fù)合基板、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480009140.3
• 申請(qǐng)日: 2014-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN105074868B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井出晃啟;高垣達(dá)朗;宮澤杉夫;堀裕二;多井知義;服部良祐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/683;H03H3/08;H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李曉

復(fù)合基板(10)由半導(dǎo)體基板(12)和絕緣性的支撐基板(14)粘合而成。支撐基板(14)為由相同絕緣材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剝離的強(qiáng)度接合而成，半導(dǎo)體基板(12)粘合在第1基板(14a)中與第2基板(14b)的接合面相反一側(cè)的表面上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及復(fù)合基板、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制法。

背景技術(shù)

作為用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的高速工作和低耗電的方法之一，可以舉出使用以SOI技術(shù)為代表的復(fù)合基板的集成電路技術(shù)(例如參考專利文獻(xiàn)1)。這種復(fù)合基板由支撐基板和功能層(半導(dǎo)體層)構(gòu)成。通過在這種復(fù)合基板的半導(dǎo)體層上使用單晶基板能夠使其成為高品質(zhì)功能層。另一方面，在支撐基板上不只限于單晶，從降低成本的角度出發(fā)，也有人提出使用多晶基板。作為這種復(fù)合基板的例子，可以舉出手機(jī)用高頻部件中使用的SOI(絕緣襯底上的硅；Si-on-Insulator)晶片或SOS(藍(lán)寶石硅；Si-on-Sapphire)晶片。這些高頻裝置，隨著最近對(duì)小型化的需求，裝置的低高度化變得特別重要。但是，我們發(fā)現(xiàn)當(dāng)使用這種復(fù)合基板時(shí)，由于存在不同材料接合的結(jié)構(gòu)，若削薄晶片的厚度，會(huì)產(chǎn)生卷曲，以致妨礙裝置的制作。因此近年來，在制成半導(dǎo)體層的全部功能后，采用背面研磨工序?qū)⒅位迥ハ髦疗谕暮穸取?/p>

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-12547號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，當(dāng)研磨如藍(lán)寶石類硬材料時(shí)，磨石的磨損過大，該問題成為成本增加的主要原因。

本發(fā)明旨在解決這樣的問題，其主要目的在于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中去除背面研磨工序。

用于解決問題的方法

本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述主要目的采用了以下的方法。

本發(fā)明的復(fù)合基板為，

由半導(dǎo)體基板和絕緣性支撐基板粘合而成的復(fù)合基板，

上述支撐基板為由相同絕緣材料制作的第1基板和第2基板以用刀片可剝離的強(qiáng)度接合而成，上述半導(dǎo)體基板粘合在上述第1基板中的上述第1基板與上述第2基板的接合面的相反一側(cè)的表面上。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制法包含：

(a)準(zhǔn)備上述復(fù)合基板的工序；

(b)在所述復(fù)合基板中的所述半導(dǎo)體基板上形成CMOS半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工序；

(c)用刀片從上述第1基板上剝離除去上述第2基板的工序；

(d)將所述符合基板切成方塊獲得半導(dǎo)體裝置的工序。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置通過上述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制法獲得。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的復(fù)合基板為，以由相同絕緣材料制作的第1基板和第2基板以用刀片可剝離的強(qiáng)度接合而成的基板作為支撐基板。為此，與只使用第1基板作為支撐基板的情況相比，能夠使支撐基板增厚。因此，能夠減小隨溫度變化而產(chǎn)生的復(fù)合基板的卷曲，也能夠提高復(fù)合基板的強(qiáng)度。另外，在半導(dǎo)體基板上形成CMOS半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之后，用刀片從第1基板上剝離除去第2基板就能夠簡(jiǎn)單地削薄支撐基板的厚度。為此，與利用背面研磨工序削薄厚的支撐基板的情況相比，成本較低。因此，能夠抑制半導(dǎo)體裝置制造成本的增加。由于除去的第2基板在制作本發(fā)明的復(fù)合基板時(shí)可以被再利用，從這個(gè)角度考慮也能夠節(jié)約成本。