[發明專利]復合基板、半導體裝置及半導體裝置的制法

有效

• 申請號: 201480009140.3
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN105074868B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 井出晃啟;高垣達朗;宮澤杉夫;堀裕二;多井知義;服部良祐
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683;H03H3/08;H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種半導體裝置的制法，其包含：

(a)準備復合基板的工序，

所述復合基板由半導體基板和絕緣性的支撐基板粘合而成，所述支撐基板由第1基板和第2基板以用刀片可剝離的強度直接接合而成，第1基板和第2基板由相同的絕緣材料制作而成，所述半導體基板粘合在所述第1基板中的所述第1基板與所述第2基板的接合面的相反一側的表面上，

所述支撐基板的厚度為200μm～650μm，

所述第1基板以及第2基板的材料為選自于由硅、藍寶石、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁以及碳化硅構成的組中的一種；

(b)在所述復合基板中的所述半導體基板上形成CMOS半導體結構的工序；

(c)在所述支撐基板的所述第1基板與所述第2基板之間插入刀片，將所述支撐基板的所述第1基板與所述第2基板剝離，從所述第1基板上除去所述第2基板的工序；

(d)除去所述第2基板后，將從所述第1基板上除去分離所述第2基板后的、所述復合基板切成方塊獲得半導體裝置的工序。

2.一種半導體裝置的制法，其包含：

(a)準備復合基板的工序，

所述復合基板由半導體基板和絕緣性的支撐基板粘合而成，所述支撐基板由第1基板和第2基板以用刀片可剝離的強度直接接合而成，第1基板和第2基板由相同的絕緣材料制作而成，所述半導體基板粘合在所述第1基板中的所述第1基板與所述第2基板的接合面的相反一側的表面上，

所述用刀片可剝離的強度是指，所述第1基板以及第2基板的每單位面積的結合能的范圍是0.05～0.6J/m²；

(b)在所述復合基板中的所述半導體基板上形成CMOS半導體結構的工序；

(c)在所述支撐基板的所述第1基板與所述第2基板之間插入刀片，將所述支撐基板的所述第1基板與所述第2基板剝離，從所述第1基板上除去所述第2基板的工序；

(d)除去所述第2基板后，將從所述第1基板上除去分離所述第2基板后的、所述復合基板切成方塊獲得半導體裝置的工序。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制法，所述工序(a)為，以用刀片可剝離的強度接合所述第1基板與所述第2基板來制作所述支撐基板，然后接合所述支撐基板與所述半導體基板的工序。

4.如權利要求2所述的半導體裝置的制法，所述第1基板以及第2基板的材料為選自于由硅、藍寶石、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁以及碳化硅構成的組中的一種。

5.如權利要求1或4所述的半導體裝置的制法，所述第1基板以及第2基板的材料為透光性氧化鋁。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制法，所述用刀片可剝離的強度是指，所述第1基板以及第2基板的每單位面積的結合能的范圍是0.05～0.6J/m²。

7.一種半導體裝置，其通過權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置的制法制得。