[發(fā)明專利]研磨用組合物、研磨用組合物制造方法及研磨物制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480008802.5
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN104995277A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發(fā)明（設計）人: 土屋公亮;丹所久典;淺田真希;須賀裕介
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;B24B37/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供一種包含磨粒、水溶性聚合物和水的研磨用組合物。上述研磨用組合物在上述磨粒的含量為0.2質量％的濃度時，利用動態(tài)光散射法測定的上述研磨用組合物中含有的顆粒的體積平均粒徑DA為20nm～60nm。

技術領域

本發(fā)明涉及研磨對象物的研磨中使用的研磨用組合物。詳細而言，主要涉及硅晶圓等半導體基板之類的基板的研磨中使用的研磨用組合物。

本申請基于2013年2月13日提出申請的日本專利申請2013-026020主張優(yōu)先權，將該申請的全部內容作為參照引入本說明書中。

背景技術

被用作半導體裝置的構成要素等的硅晶圓的表面通常經過研磨(lapping)工序(粗研磨工序)和拋光(polishing)工序(精密研磨工序)而精加工為高品質的鏡面。上述拋光工序典型而言包括一次拋光工序(一次研磨工序)和最終拋光工序(最終研磨工序)。作為涉及在對硅晶圓等半導體基板進行研磨的用途中主要使用的研磨用組合物的技術文獻，可以舉出專利文獻1～3。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請公開2005-085858號公報

專利文獻2：日本專利申請公開2004-128070號公報

專利文獻3：日本專利申請公開2010-034509號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的問題

近年，對于硅晶圓等半導體基板之類的基板，逐漸要求更高品質的表面。另外，基板表面的檢查精度也提高，例如正在開發(fā)能夠檢測出深度為數十nm的劃痕、高度為數十nm的突起等細微的缺陷的表面檢查裝置。如果能夠減少可使用這種的裝置所測量的細微的缺陷，則能夠實現(xiàn)更高品質的表面。

專利文獻1中記載了通過使用包含羥乙基纖維素和/或聚乙烯醇和嵌段型聚醚的研磨用組合物來改善硅晶圓的霧度的技術。專利文獻2中記載了使用包含平均一次粒徑為5～30nm的膠態(tài)二氧化硅或氣相二氧化硅和水溶性高分子化合物的研磨用組合物來降低半導體晶圓表面的霧度的技術。但是，僅著眼于霧度的降低時，不能有效地減少如上所述的細微的缺陷(微小缺陷)。另外，專利文獻3中記載了下述技術：使用低粘度的水溶性高分子化合物作為半導體潤濕劑，從而通過過濾易于去除可能成為微小缺陷的原因的雜質等，由此抑制微小缺陷的產生，但是即使應用該技術，有時也無法充分滿足近年的減少微小缺陷的要求水平。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種在研磨后的表面中可減少如上所述的微小缺陷的檢測數的研磨用組合物。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種所述研磨用組合物的制造方法。相關的其他目的在于提供一種制造具備微小缺陷少的表面的研磨物(例如基板)的方法。

用于解決問題的方案

使用水中含有磨粒及水溶性聚合物(水溶性高分子化合物)的研磨用組合物對研磨對象物進行研磨時，根據水溶性聚合物的種類，有時該水溶性聚合物會與研磨用組合物中的磨粒吸附，由此，磨粒在研磨用組合物中會以比其自身的尺寸更大的粒體的形式存在。這樣的粒體在研磨用組合物中像顆粒那樣運動，其行為可能會影響研磨時的機械作用。本發(fā)明人等對于在水中含有磨粒及水溶性聚合物的研磨用組合物，作為與磨粒自身的尺寸不同的物性值，著眼于考慮到上述粒體的存在的基礎上的顆粒尺寸。也就是說，水溶性聚合物吸附于磨粒時，將研磨用組合物中顯示顆粒樣的行為的單元視為顆粒，將其尺寸認為是研磨用組合物中包含的顆粒的尺寸。而且，作為能夠正確把握該顆粒的尺寸的方法，采用動態(tài)光散射法，對上述顆粒的尺寸與研磨后的表面的微小缺陷的關系進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)能夠有效地減少上述微小缺陷的顆粒的尺寸，從而完成了本發(fā)明。