[發明專利]用于對基體的下側進行濕處理的裝置

有效

• 申請號: 201480007981.0
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN105121032B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: P.米克;M.尼特漢默;K.魏瑟
• 申請（專利權）人: 吉布爾·施密德有限責任公司
• 主分類號: B05C1/02
• 分類號: B05C1/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李晨,宣力偉

1.通過用流體使下側潤濕而對平坦的基體（S1、S2）進行濕處理的裝置，所述裝置具有：

—至少一個潤濕站（B_A、B_B），其具有用于用流體使將被處理的并且沿輸送方向（TR）在潤濕輥上方運動的基體的所述下側潤濕的至少一個潤濕輥（W_A、W_B），及

—滾子輸送系統，其具有以相互間隔方式沿所述輸送方向相繼布置的多個輸送滾子（T1至T7、W_A、W_B），其包括至少一個潤濕輥，用于沿所述輸送方向輸送將被處理的且放置在所述輸送滾子上的基體（S1、S2）；

其特征在于

—所述潤濕輥（W_A、W_B）被布置在高度（Hm、Ho）處，其比由所述滾子輸送系統的與所述潤濕輥的供給側相鄰的那部分所限定的高度（Hu、Hm）高出預定的高度偏移（ΔH_A、ΔH_B）。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征還在于，所述至少一個潤濕站包括沿所述輸送方向相繼布置的多個潤濕站（B_A、B_B）或潤濕輥，在各種情況下所述滾子輸送系統的一個或多個輸送滾子（T3、T4、T5）被布置在所述潤濕站（B_A、B_B）或潤濕輥之間，其中在各種情況下所述潤濕輥的至少兩個被布置在比所述滾子輸送系統的與所述潤濕輥的所述供給側相鄰的那部分的高度（Hu、Hm）高出預定量（ΔH_A、ΔH_B）的高度（Hm、Ho）處。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征還在于，至少兩個連續的潤濕輥（W2、W3）被布置在與所述滾子輸送系統的中間部的高度相同的一個相同的高度處。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征還在于，布置在從最靠前到最后一個潤濕輥（W1至W12）的處理路徑的進口側半部內的具有高度偏移的潤濕輥比在所述處理路徑的出口側半部內的多。

5.如權利要求2至4中任一項所述的裝置，其特征還在于，在各種情況下，兩個連續的具有高度偏移的潤濕輥之間的距離大于在所述輸送方向上將被處理的所述基體的長度。

6.如權利要求1至4中任一項所述的裝置，其特征還在于，所述潤濕輥高度偏移是在0.1mm和1.5mm之間并且/或者大于所述平坦的基體的厚度。

7.如權利要求1至6中任一項所述的裝置的應用，其用于電路板或硅晶片的下側的清洗處理或下側的濕法化學蝕刻。