[發明專利]用于存儲器設備中的寫輔助的寫激勵器

有效

• 申請號: 201480007455.4
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN104981875B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: C·鄭;N·德塞;R·瓦蒂孔達
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 袁逸

1.一種存儲器電路，包括：

存儲器位單元電路，其包括位單元核、本地寫位線、互補本地寫位線和用于向所述位單元核供電的本地電源節點；

存儲器單元供電電容器，其配置成電容性地加載所述本地電源節點；

寫輔助激勵器電路，所述寫輔助激勵器電路包括：

配置成將所述本地電源節點耦合到全局電源節點的頭開關；

配置成響應于要向具有邏輯高值的所述位單元核寫入一寫位而將所述本地電源節點耦合到所述本地寫位線的第一開關；以及

配置成響應于要向具有邏輯低值的所述位單元核寫入所述寫位而將所述本地電源節點耦合到所述互補本地寫位線的第二開關，并且其中所述存儲器單元供電電容器的電容大于所述本地寫位線或所述互補本地寫位線中任一者的分布式電容。

2.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，所述位單元核包括第一反相器和第二反相器以形成易失性存儲器位單元。

3.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，進一步包括：

耦合到所述寫輔助激勵器電路的全局寫位線對，所述寫輔助激勵器電路進一步配置成在處于待機操作模式中時將所述全局寫位線對預充電到外圍供電電壓VddP。

4.如權利要求3所述的存儲器電路，其特征在于，所述頭開關包括頭開關晶體管，其源極耦合到所述全局電源節點，并且其漏極耦合到所述本地電源節點；

所述寫輔助激勵器電路進一步包括寫使能晶體管，其源極耦合到所述頭開關晶體管的漏極，并且其柵極配置成接收寫使能信號(WEN)信號；

并且其中所述第一開關包括第一開關晶體管，其漏極耦合到所述本地寫位線，其源極耦合到所述寫使能晶體管的漏極，并且其柵極耦合到所述全局寫位線；并且

所述第二開關包括第二開關晶體管，其漏極耦合到所述互補本地寫位線，其柵極耦合到互補全局寫位線，并且其源極耦合到所述寫使能晶體管的漏極。

5.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，所述寫輔助激勵器電路被配置成在處于待機操作模式中時，將所述本地寫位線和所述互補本地寫位線二者放電到接地。

6.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，所述存儲器位單元電路包括耦合到所述位單元核的第一寫晶體管和第二寫晶體管，所述第一寫晶體管還被耦合到所述本地寫位線和本地寫字線，并且所述第二寫晶體管還被耦合到所述互補本地寫位線和所述本地寫字線。

7.如權利要求4所述的存儲器電路，其特征在于，所述頭開關晶體管的柵極被配置成接收休眠信號。

8.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，所述存儲器位單元和寫輔助激勵器電路是在第一半導體管芯上的。

9.如權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，所述寫輔助激勵器電路被耦合到多個附加存儲器位單元電路，所述多個附加存儲器位單元電路被耦合到相同本地寫位線和互補本地寫位線。

10.一種用于寫輔助的方法，包括：

在由被連接至存儲器單元供電電容器的本地電源節點供電的存儲器單元的待機操作模式期間，將所述本地電源節點和所述存儲器單元供電電容器耦合至全局電源節點以將所述本地電源節點和所述存儲器單元供電電容器充電至電源電壓VddM；

在所述存儲器單元的其中所述存儲器單元的本地寫位線和互補本地寫位線中的一者被斷言至邏輯高狀態而所述本地寫位線和所述互補本地寫位線中的剩下的一者被維持在邏輯低狀態的寫操作模式期間，將經充電的所述本地電源節點和經充電的所述存儲器單元電容器耦合到所述本地寫位線和所述互補本地寫位線中被斷言的那一者以在所述存儲器單元供電電容器與所述本地寫位線和所述互補本地寫位線中被斷言的那一者之間共享電荷，從而所述本地電源節點與所述本地寫位線和所述互補本地寫位線中被斷言的那一者的電壓暫時降到所述電源電壓VddM以下。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，經充電的所述本地電源節點和經充電的所述存儲器單元電容器耦合到所述本地寫位線和所述互補本地寫位線中被斷言的那一者包括響應于全局寫位線和互補全局寫位線中的一者的斷言將來自開關對中的一開關接通。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，進一步包括當處在第一操作模式中時，將所述本地寫位線和互補本地寫位線二者都放電至接地。