[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480007030.3
• 申請(qǐng)日: 2014-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN104981903B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)藤達(dá)也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/04
• 分類號(hào): H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 萬捷

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件設(shè)置于第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板上，并具有流過主電流的有源區(qū)、以及包圍所述有源區(qū)的終端結(jié)構(gòu)區(qū)；

保護(hù)用二極管，該保護(hù)用二極管隔著絕緣膜而設(shè)置于所述終端結(jié)構(gòu)區(qū)上；

1個(gè)以上的第二導(dǎo)電型的擴(kuò)散層，該1個(gè)以上的第二導(dǎo)電型的擴(kuò)散層在所述終端結(jié)構(gòu)區(qū)中，選擇性地設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的與所述絕緣膜相接的一側(cè)的表面層上，并包圍所述有源區(qū)；以及

表面保護(hù)膜，該表面保護(hù)膜覆蓋所述終端結(jié)構(gòu)區(qū)，

利用在從所述有源區(qū)側(cè)朝向外側(cè)的方向上由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層交替相鄰而成的多個(gè)二極管，來形成所述保護(hù)用二極管，

所述保護(hù)用二極管的一端與設(shè)于所述半導(dǎo)體元件的外周側(cè)的高電位電極進(jìn)行電連接，并位于最外周的所述擴(kuò)散層的外周端的外側(cè)，

所述保護(hù)用二極管的另一端與設(shè)于所述有源區(qū)側(cè)的所述半導(dǎo)體元件的柵極布線進(jìn)行電連接，

將所述終端結(jié)構(gòu)區(qū)分割為：

第一分區(qū)，該第一分區(qū)配置有所述保護(hù)用二極管；

第二分區(qū)，該第二分區(qū)的寬度比所述第一分區(qū)要窄；以及

第三分區(qū)，該第三分區(qū)具有以從所述第二分區(qū)向所述第一分區(qū)變寬的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)移而成的寬度，并將所述第一分區(qū)和所述第二分區(qū)相連結(jié)，

所述擴(kuò)散層具有環(huán)狀的平面形狀，所述環(huán)狀的平面形狀由配置于所述第一分區(qū)并沿深度方向與所述保護(hù)用二極管相對(duì)的第一部分、配置于所述第二分區(qū)并位于比所述第一部分更靠近所述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)的第二部分、以及配置于所述第三分區(qū)的第三部分連接而成，

相對(duì)于所述第二分區(qū)的表面積的所述第二部分的表面積比相對(duì)于所述第一分區(qū)的表面積的所述第一部分的表面積要大。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述擴(kuò)散層的與所述保護(hù)用二極管相對(duì)的部分與剩余配置的部分互相連結(jié)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

將所述擴(kuò)散層的與所述保護(hù)用二極管相對(duì)的部分與剩余配置的部分相連結(jié)的部分具有彎曲的平面形狀。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述擴(kuò)散層的與所述保護(hù)用二極管相對(duì)的部分的寬度比所述擴(kuò)散層的剩余配置的部分的寬度要寬。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在從所述有源區(qū)側(cè)朝向外側(cè)的方向上隔開規(guī)定間隔地設(shè)有2個(gè)以上的所述擴(kuò)散層，

在所述擴(kuò)散層的與所述保護(hù)用二極管相對(duì)的部分上相鄰的該擴(kuò)散層的間隔比在所述擴(kuò)散層的剩余配置的部分上相鄰的該擴(kuò)散層的間隔要寬。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在從所述有源區(qū)側(cè)朝向外側(cè)的方向上隔開規(guī)定間隔地設(shè)有2個(gè)以上的所述擴(kuò)散層，

在所述半導(dǎo)體基板的被相鄰的所述擴(kuò)散層所夾住的部分的表面上，隔著所述絕緣膜而配置有所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層中的任意一層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述二極管是齊納二極管。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述保護(hù)用二極管由多晶硅所形成。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述表面保護(hù)膜由聚酰亞胺類樹脂所形成。

10.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體元件是絕緣柵型雙極晶體管或絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第三部分具有向所述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)彎曲成凸?fàn)畹钠矫嫘螤睢?/p>

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第三部分的表面上還包括隔著所述絕緣膜而設(shè)置的多晶硅場(chǎng)板。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述擴(kuò)散層的寬度向所述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)變窄，

所述擴(kuò)散層的間隔向所述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)變寬。