[發明專利]具有受控的密封間隙的基板支撐件

有效

• 申請號: 201480005720.5
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN104937710B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 阿倫·庫瓦爾齊;喬爾·M·休斯頓;國傳·滋
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/205
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

技術領域

本發明的實施方式大致關于半導體處理設備。

背景技術

原子層沉積(ALD)及化學氣相沉積(CVD)是半導體制造中使用的用以在處理腔室中的基板上沉積薄膜的兩種范例方法。典型的處理腔室包括例如基板支撐板這樣的基板支撐件，以在處理期間支撐基板。基板支撐板可包括：例如形成在基板支撐板的支撐表面中的通道或其它凹槽，以促進在基板的背側與支撐表面之間形成真空，從而將基板夾持至基板支撐件。基板支撐件以基板的背側提供密封，以允許在基板的背側與支撐板之間形成真空。

發明人已觀察到基板與某些基板支撐件材料接觸可造成不希望有的基板污染。消除或減少基板與那些導致基板污染的基板支撐件材料的接觸能夠消除基板污染，或者減少基板污染。

因此，本發明提供改良的基板支撐件的實施方式。

發明內容

此處提供基板支撐件的實施方式。在某些實施方式中，基板支撐件可包括支撐板，所述支撐板具有支撐表面以支撐基板；支撐環，所述支撐環用以于支撐表面的周邊處支撐基板；及多個第一支撐元件，所述多個第一支撐元件布置于支撐環中，其中各個第一支撐元件的端部分被抬升高于支撐環的上部表面，以在支撐環的上部表面與布置于多個第一支撐元件的端部分上的虛構平面(imaginary plane)之間界定間隙。

在某些實施方式中，基板支撐件包括支撐板，所述支撐板具有支撐表面以支撐基板；支撐環，所述支撐環用以于支撐表面的周邊處支撐基板；多個第一支撐元件，所述多個第一支撐元件布置于支撐環中，其中多個第一支撐元件為圓球形且以非金屬材料制造形成，且其中各個第一支撐元件的端部分被抬升高于支撐環的上部表面，以在支撐環的上部表面與布置于多個第一支撐元件的端部分上的虛構平面之間界定間隙；及多個第二支撐元件，所述多個第二支撐元件布置于支撐表面中，其中多個第二支撐元件為圓球形且以非金屬材料制造形成，且其中各個第二支撐元件的端部分被抬升高于支撐表面，使得端部分接觸虛構平面且在支撐表面與虛構平面之間界定間隙。

以下說明本發明的其它及進一步的實施方式。

附圖說明

以上簡短概述及以下更加詳細討論的本發明的實施方式，可通過參考附圖中所描繪的本發明的說明性實施方式而理解。然而應了解，附圖僅說明本發明的典型實施方式，且因此不應考慮為限制本發明的范圍，因為本發明可認知有其它等同效果的實施方式。

圖1描繪根據本發明的某些實施方式的基板支撐件的側面剖面視圖，有基板布置在基板支撐件上。

圖2描繪圖1的基板支撐件的頂部視圖，其中基板被移除。

圖3描繪根據本發明的某些實施方式的基板支撐件的側面剖面視圖，且有基板布置在基板支撐件上。

為了幫助理解，已盡可能地使用相同的元件符號以標示各圖都有的相同元件。附圖并非依比例繪制且為了清楚而可能簡化。應考慮一個實施方式的元件及特征可有益地并入其它實施方式中而無須進一步說明。

具體實施方式

在半導體制造處理期間的基板支撐件可由根據此處批露的實施方式的基板支撐件來提供。實施方式可有益地對基板提供受控密封間隙(sealing gap)、減少的金屬污染及減少的熱傳導之一或種。

圖1描繪包含支撐板102的基板支撐件100，所述支撐板102具有支撐表面104以支撐基板。在某些實施方式中，因為一些原因，支撐板102以處理兼容的(process compatible)金屬材料形成，例如鋁、不銹鋼、鉬或鉬合金、鎳、或基于鎳的合金(例如)，這些原因包括易于制造及熱的考慮等等。在某些實施方式中，因為一些原因，支撐板以處理兼容的非金屬材料形成，例如氧化鋁(Al₂O₃)或陶瓷材料(例如氮化鋁(AlN))，這些原因包括減少基板污染的可能性等等。

支撐板102至少可與基板114一樣大，以將基板114支撐在支撐板102上。基板的直徑可為例如200mm、300mm或450mm(7.87英寸、11.81英寸或17.72英寸)，而更大和更小直徑的基板也能從本發明的特征得到益處。

在某些實施方式中，支撐表面104與基板114具有相同大小，以將基板114支撐在支撐表面104上。在其它實施方式中，支撐表面104可比基板114更大或更小。