[發明專利]具有受控的密封間隙的基板支撐件有效
| 申請號: | 201480005720.5 | 申請日: | 2014-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN104937710B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 阿倫·庫瓦爾齊;喬爾·M·休斯頓;國傳·滋 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 受控 密封 間隙 支撐 | ||
1.一種基板支撐件,包含:
支撐板,所述支撐板具有支撐表面以支撐基板,其中所述支撐表面橫跨所述支撐板的整個寬度;
支撐環,所述支撐環用以于所述支撐板的周邊處支撐基板;和
多個第一支撐元件,所述多個第一支撐元件布置于所述支撐環中,其中各個所述第一支撐元件的端部分被抬升高于所述支撐環的上部表面,以在所述支撐環的所述上部表面與布置于所述多個第一支撐元件的所述端部分上的虛構平面之間界定間隙;
真空源;以及
一個或更多個真空口,所述一個或更多個真空口布置于所述支撐板的所述支撐表面中,其中布置于所述支撐表面中的所有真空口流體耦接至所述真空源,并且
其中所述支撐環沿所述支撐環的整個周長安置在所述支撐板上。
2.如權利要求1所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件至少部分地凹陷至所述支撐環的所述上部表面中。
3.如權利要求1所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件具有圓球的形狀。
4.如權利要求3所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件具有0.039英寸至0.118英寸的直徑。
5.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件是非金屬。
6.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件是以氮化鋁或氧化鋁中的至少一種制造形成的。
7.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件是以藍寶石制造形成的。
8.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述多個第一支撐元件的支撐表面布置于所述上部表面上方0.001英寸至0.005英寸。
9.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述支撐板或所述支撐環中的至少一個是以金屬材料制造形成的。
10.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述支撐環是與所述支撐板分開的部件,且所述支撐環耦接至所述支撐表面的周邊。
11.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述支撐板包含多個第二支撐元件,所述多個第二支撐元件具有布置在所述支撐板的所述支撐表面上方的部分,其中所述多個第一支撐元件及所述多個第二支撐元件將所述基板支撐在所述支撐環的上部表面上方,其中所述多個第二支撐元件在徑向上布置于所述支撐環的內部。
12.如權利要求11所述的基板支撐件,其中所述多個第二支撐元件具有圓球的形狀。
13.如權利要求11所述的基板支撐件,其中所述多個第二支撐元件是非金屬。
14.如權利要求1至4任一項所述的基板支撐件,其中所述支撐表面包含變化的輪廓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





