[發明專利]Ag合金膜形成用濺射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金導電膜、Ag合金半透明膜有效
| 申請號： | 201480004766.5 | 申請日： | 2014-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN104919081B | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 歲森悠人;野中荘平 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C22C5/06;C22F1/00;C22F1/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 樸圣潔;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ag 合金 形成 濺射 反射 導電 半透明 | ||
【權利要求書】：
1.Ag合金膜形成用濺射靶，其特征在于，具有如下組成：
0.2原子％以上2.0原子％以下的Sb、0.05原子％以上1.00原子％以下的Mg，余量由Ag和不可避免雜質構成。
2.根據權利要求1所述的Ag合金膜形成用濺射靶，其特征在于，
所含有的Sb與Mg的原子比為1.0≤Sb/Mg≤40.0。
3.一種Ag合金膜，其特征在于，
通過權利要求1或2所述的Ag合金膜形成用濺射靶而成膜。
4.一種Ag合金反射膜，其特征在于，
通過權利要求1或2所述的Ag合金膜形成用濺射靶而成膜。
5.一種Ag合金導電膜，其特征在于，
通過權利要求1或2所述的Ag合金膜形成用濺射靶而成膜。
6.一種Ag合金半透明膜，其特征在于，
通過權利要求1或2所述的Ag合金膜形成用濺射靶而成膜。
7.根據權利要求4所述的Ag合金反射膜，其特征在于，
波長405～550nm的反射率為85％以上。
8.根據權利要求5所述的Ag合金導電膜，其特征在于，
比電阻為10μΩ·cm以下。
9.根據權利要求6所述的Ag合金半透明膜，其特征在于，
膜厚15nm以下且波長350～850nm下的平均透射率為35％以上。
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