[發明專利]包括疊置電子器件的電子組件有效
申請號: | 201480003722.0 | 申請日: | 2014-07-02 |
公開(公告)號: | CN105377390B | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
發明(設計)人: | N·德什潘德;R·V·馬哈詹 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 包括 電子器件 電子 組件 | ||
一種電子組件,所述電子組件包括第一電子器件。所述第一電子器件包括腔,所述腔延伸到所述第一電子器件的背側中。所述電子組件還包括第二電子器件。所述第二電子器件在所述第一電子器件中的所述腔內安裝到所述第一電子器件。在一些示例性形式的電子組件中,所述第一電子器件和所述第二電子器件中各自是管芯。應當指出的是,預期了所述電子組件的其它形式,其中,所述第一電子器件和第二電子器件中僅有一個是管芯。在一些形式的電子組件中,所述第二電子器件焊接到所述第一電子器件。
技術領域
本文所述的實施例總體上涉及電子組件,并且具體而言,涉及包括疊置電子器件的電子組件。
背景技術
與生產包括疊置電子器件(例如,管芯或芯片)的電子組件相關聯的一個重要的考慮涉及從電子器件的疊置體中的底部電子器件有效地散熱。另一個重要的考慮涉及處理包括穿硅過孔(TSV)的薄晶圓或管芯的能力,穿硅過孔用于隨后將一個或多個額外電子器件疊置在薄晶圓或管芯上。
圖1示出了現有技術電子封裝10,其使用高熱導率模制材料來從電子器件的疊置體中的底部電子器件散熱。高熱導率模制材料位于電子器件的疊置體中的最頂部電子器件與散熱器之間。
圖2示出了另一個現有技術電子封裝20,其使用階梯式集成散熱器(IHS)來從電子器件的疊置體中的底部電子器件散熱。使用階梯式IHS常常提供對于在電子器件的疊置體中的最頂部電子器件與IHS之間的熱分界面材料(TIM)粘合層的厚度的有限的控制。由于典型地與疊置電子器件相關聯的容差問題而難以控制TIM粘合層的厚度。
圖1和圖2中所示的現有技術電子組件中解決熱管理問題的方法之一是增大TIM粘合層的熱導率。然而,單獨增大TIM粘合層的熱導率常常是不夠的。
圖1和圖2中所示的現有技術電子組件中包括的電子器件的疊置體中的底部電子器件的厚度典型地約為100μm。底部電子器件的此最小厚度常常使得在包括疊置電子器件的電子組件的生產過程中安全且有效地處理底部電子器件是有問題的。
附圖說明
圖1示出了現有技術電子組件,其使用高熱導率模制材料來從電子器件的疊置體中的底部電子器件散熱。
圖2示出了另一個現有技術的電子組件,其使用階梯式集成散熱器(IHS)來從電子器件的疊置體中的底部電子器件散熱。
圖3示出了示例性電子組件。
圖4示出了在圖3中所示的電子組件的一部分的放大圖。
圖5示出了示出在圖3中所示的電子組件的另一種形式的一部分的放大圖。
圖6示出了示例性電子封裝。
圖7示出了在圖6中所示的電子封裝的一部分的放大圖。
圖8示出了示出在圖6中所示的電子封裝的另一種形式的一部分的放大圖。
圖9示出了圖6中的電子封裝,其中,該電子封裝包括第三電子組件。
圖10A-10D示出了用于在圖6和圖7中所示的電子封裝的示例性封裝工藝(即,組裝流程)。
圖11A-11D示出了用于在圖8中所示的電子封裝的示例性封裝工藝(即,組裝流程)。
圖12是包括本文所述的電子組件和/或電子封裝的電子裝置的框圖。
具體實施方式
以下描述和附圖充分示出了具體實施例,以使得本領域技術人員能夠實施它們。其它實施例可以包含結構、邏輯、電氣、工藝以及其它變化。一些實施例的部分和特征可以包括在其它實施例的部分和特征中,或者代替它們。權利要求中闡述的實施例包含那些權利要求的全部可用的等效物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造