[發(fā)明專利]包括疊置電子器件的電子組件有效
申請?zhí)枺?/td> | 201480003722.0 | 申請日: | 2014-07-02 |
公開(公告)號: | CN105377390B | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | N·德什潘德;R·V·馬哈詹 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 包括 電子器件 電子 組件 | ||
1.一種電子組件,包括:
第一管芯,所述第一管芯包括腔,所述腔延伸到所述第一管芯的背側(cè)中;
第二管芯,所述第二管芯在所述第一管芯中的所述腔內(nèi)安裝到所述第一管芯;以及
散熱器,其接合所述第一管芯的背側(cè)和所述第二管芯的背側(cè),其中所述散熱器包括側(cè)部,所述側(cè)部與所述第一管芯的側(cè)部平行并且延伸到所述第一管芯的背側(cè)下方,使得所述散熱器覆蓋所述第一管芯的側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件,其中,所述第二管芯焊接到所述第一管芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子組件,其中,所述第一管芯中的所述腔部分地延伸通過所述第一管芯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子組件,其中,所述第一管芯包括在所述第一管芯的前側(cè)上的內(nèi)插件,并且其中,所述第一管芯中的所述腔延伸通過所述第一管芯而到達所述內(nèi)插件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子組件,其中,所述第二管芯安裝到所述內(nèi)插件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子組件,其中,所述第一管芯包括穿硅過孔,所述穿硅過孔電連接到所述第二管芯。
7.一種電子封裝,包括:
襯底;
第一管芯,所述第一管芯安裝在所述襯底上,所述第一管芯包括腔,所述腔延伸到所述第一管芯的背側(cè)中;
第二管芯,所述第二管芯在所述第一管芯中的所述腔內(nèi)安裝到所述第一管芯;以及
散熱器,所述散熱器包括側(cè)部,所述側(cè)部與所述第一管芯的側(cè)部平行并且延伸到所述第一管芯的背側(cè)下方,其中所述散熱器接合所述第一管芯的背側(cè)、所述第二管芯的背側(cè)、以及所述襯底,使得所述散熱器和所述襯底包圍所述第一管芯和所述第二管芯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子封裝,其中,所述第一管芯包括穿硅過孔,所述穿硅過孔將所述第二管芯電連接到所述襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子封裝,還包括第三管芯,所述第三管芯安裝到所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子封裝,其中,所述第三管芯安裝到所述第一管芯和所述第二管芯。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子封裝,其中,所述第三管芯焊接到所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一個。
12.根據(jù)權(quán)利要求7到11中的任一項所述的電子封裝,其中,所述第二管芯焊接到所述第一管芯。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子封裝,其中,所述第一管芯中的所述腔部分地延伸通過所述第一管芯。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子封裝,其中,所述第一管芯包括在所述第一管芯的前側(cè)上的內(nèi)插件,并且其中,所述第一管芯中的所述腔延伸通過所述第一管芯而到達所述內(nèi)插件。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子封裝,其中,所述第一管芯包括穿硅過孔,所述穿硅過孔將所述第一管芯電連接到所述第二管芯。
16.一種電子封裝,包括:
襯底;
第一管芯,所述第一管芯焊接到所述襯底,所述第一管芯包括腔,所述腔延伸到所述第一管芯的背側(cè)中;
第二管芯,所述第二管芯在所述第一管芯中的所述腔內(nèi)焊接到所述第一管芯;
第三管芯,所述第三管芯焊接到所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一個;以及
散熱器,其中所述散熱器包括側(cè)部,所述側(cè)部與所述第一管芯的側(cè)部平行并且延伸到所述第一管芯的背側(cè)下方,使得所述散熱器覆蓋所述第一管芯的側(cè)表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造