[發明專利]太陽能電池元件表面電極用導電性糊及太陽能電池元件的制造方法有效
| 申請號: | 201480003448.7 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN104838505B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發明(設計)人: | 秋本裕二;金作整;西村浩輔;三浦好雄 | 申請(專利權)人: | 昭榮化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01B1/22 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 元件 表面 電極 導電性 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池元件表面電極用導電性糊及太陽能電池元件的制造方法。
背景技術
通常的太陽能電池元件具備:硅系的例如p型半導體基板、n型擴散層、防反射膜、背面電極及表面電極。另外,在表面電極的形成時,使用混合了以銀為主要成分的導電性粉末、玻璃粉及有機賦形劑(ビヒクル)等的導電性糊。通過絲網印刷或孔版印刷等,將該導電性糊按電極圖案形成在形成于半導體基板的一個主面側(受光面側)的防反射膜上,然后將其燒成,形成表面電極。
在該燒成時,通常,通過導電性糊所含的玻璃粉的作用,溶解、去除防反射膜。由此,可實現表面電極和擴散層的電接觸。該工序通常稱為火焰貫穿(フアイア一スル一)。
為了良好地進行火焰貫穿,作為導電性糊中的玻璃粉,最好使用與防反射膜的溶解性良好的玻璃。以往,作為玻璃粉,從易調節其軟化點、與半導體基板的密合性也優異、能夠比較良好地進行火焰貫穿的理由來看,大多使用含有鉛的玻璃(例如,參照專利文獻1)。但是,本發明人等進行了研究,結果在使用了含有鉛的玻璃粉的情況下,具有拉伸強度強但接觸電阻高這樣的問題。
另外,也進行了使用含有碲的玻璃粉作為玻璃粉的嘗試(例如,參照專利文獻2)。本發明人等進行了研究,結果如果使用含有碲的玻璃粉,則可得到低接觸電阻,但有時因應用該玻璃粉的基板的表面狀態、燒成溫度而得不到足夠的拉伸強度。因此,也進行了使用同時含有鉛和碲的玻璃粉作為玻璃粉的嘗試(例如,參照專利文獻3)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2001-93326號公報
專利文獻2:日本特開2012-84585號公報
專利文獻3:國際公開第2011/140197號小冊子
發明內容
發明所要解決的課題
但是,同時含有鉛和碲的玻璃粉具有含有鉛的玻璃粉和含有碲的玻璃粉的中間的特性,拉伸強度及接觸電阻中的任一特性都不充分,存在不能兼得低接觸電阻和強拉伸強度(粘接強度)這樣的問題。
本發明的目的在于,提供一種形成接觸電阻低且拉伸強度強的太陽能電池元件表面電極的導電性糊及太陽能電池元件的制造方法。
用于解決課題的手段
本發明的一個方式的太陽能電池元件表面電極用導電性糊用于太陽能電池元件的所述表面電極的形成,該太陽能電池元件具備:半導體基板、配置于該半導體基板的一個主面上的第一區域的防反射膜和配置于所述半導體基板的一個主面上的第二區域的表面電極,其特征在于,
所述導電性糊含有導電性粉末、混合玻璃粉和有機賦形劑,該混合玻璃粉混合含有以碲、鎢及鉍為必需成分的碲系玻璃粉、和以鉛及鉍為必需成分且實質上不含碲的鉛-鉍系玻璃粉。
另外,就本發明的一個方式的太陽能電池元件的制造方法而言,該太陽能電池元件具備:半導體基板、配置于該半導體基板的一個主面上的第一區域的防反射膜和配置于所述半導體基板的一個主面上的第二區域的表面電極,該方法具有:
第一工序,在所述半導體基板的一個主面上形成所述防反射膜;
第二工序,將導電性糊印刷在所述防反射膜上,該導電性糊含有導電性粉末、混合玻璃粉和有機賦形劑,該混合玻璃粉混合含有以碲、鎢及鉍為必需成分的碲系玻璃粉、和以鉛及鉍為必需成分且實質上不含碲的鉛-鉍系玻璃粉;和
第三工序,通過對所述導電性糊進行燒成而去除位于所述導電性糊下的所述防反射膜,使所述防反射膜配置于所述半導體基板的所述第一區域,在所述半導體基板的所述第二區域形成所述表面電極。
發明效果
根據本發明,能夠得到具有接觸電阻低且拉伸強度強的表面電極的太陽能電池元件及其制造方法。由此,太陽能電池元件的轉換效率提高。
附圖說明
圖1是示意性地表示使用本發明的導電性糊而形成了表面電極的太陽能電池元件的一個實施方式的剖面圖。
圖2(a)~(e)是示意性地表示本發明的太陽能電池元件的制造工序的剖面圖。
具體實施方式
下面,一邊參照附圖一邊對本發明的太陽能電池元件表面電極用導電性糊及太陽能電池元件的制造方法的實施方式的一個例子進行說明。
〔太陽能電池元件表面電極導電性糊〕
首先,對使用本實施方式的導電性糊形成表面電極的太陽能電池元件的基本結構進行說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





