[發明專利]太陽能電池元件表面電極用導電性糊及太陽能電池元件的制造方法有效
| 申請號: | 201480003448.7 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN104838505B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發明(設計)人: | 秋本裕二;金作整;西村浩輔;三浦好雄 | 申請(專利權)人: | 昭榮化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01B1/22 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 元件 表面 電極 導電性 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其用于太陽能電池元件的表面電極的形成,該太陽能電池元件具備:半導體基板、配置于該半導體基板的一個主面上的第一區域的防反射膜和配置于所述半導體基板的一個主面上的第二區域的表面電極,其特征在于,
所述導電性糊含有導電性粉末、混合玻璃粉和有機賦形劑,該混合玻璃粉混合含有以碲、鎢及鉍為必需成分的碲系玻璃粉和以鉛及鉍為必需成分且實質上不含碲的鉛-鉍系玻璃粉。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述碲系玻璃粉的軟化點比所述鉛-鉍系玻璃粉的軟化點低10~100℃。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述混合玻璃粉以質量比4∶6~8∶2的比例含有所述碲系玻璃粉和所述鉛-鉍系玻璃粉。
4.根據權利要求1~3中的任一項所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述碲系玻璃粉是以氧化物換算計含有碲30~80摩爾%、鎢10~50摩爾%、鉍5~25摩爾%的玻璃粉。
5.根據權利要求1~4中的任一項所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述鉛-鉍系玻璃粉是以氧化物換算計含有鉛30~70摩爾%、鉍10~40摩爾%、鋅30摩爾%以下(包含0摩爾%)、硅5~30摩爾%的玻璃粉、或以氧化物換算計含有鉛30~70摩爾%、鉍10~40摩爾%、鋅30摩爾%以下(包含0摩爾%)、硼1~25摩爾%的玻璃粉。
6.根據權利要求1~5中的任一項所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述混合玻璃粉還包含以鉛及碲為必需成分的鉛-碲系玻璃粉。
7.根據權利要求1~6中的任一項所述的太陽能電池元件表面電極用導電性糊,其特征在于,
所述導電性糊含有錫、氧化錫(II)、及氧化錫(IV)中的至少任一種作為添加劑。
8.一種太陽能電池元件的制造方法,該太陽能電池元件具備:半導體基板、配置于該半導體基板的一個主面上的第一區域的防反射膜和配置于所述半導體基板的一個主面上的第二區域的表面電極,該方法具有:
第一工序,在所述半導體基板的一個主面上形成所述防反射膜;
第二工序,將導電性糊印刷在所述防反射膜上,該導電性糊含有導電性粉末、混合玻璃粉和有機賦形劑,該混合玻璃粉混合含有以碲、鎢及鉍為必需成分的碲系玻璃粉和以鉛及鉍為必需成分且實質上不含碲的鉛-鉍系玻璃粉;和
第三工序,通過對所述導電性糊進行燒成而去除位于所述導電性糊下的所述防反射膜,使所述防反射膜配置于所述半導體基板的所述第一區域,在所述半導體基板的所述第二區域形成所述表面電極。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述碲系玻璃粉的軟化點比所述鉛-鉍系玻璃粉的軟化點低10~100℃。
10.根據權利要求8或9所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述混合玻璃粉以質量比4∶6~8∶2的比例含有所述碲系玻璃粉和所述鉛-鉍系玻璃粉。
11.根據權利要求8~10中的任一項所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述碲系玻璃粉是以氧化物換算計含有碲30~80摩爾%、鎢10~50摩爾%、鉍5~25摩爾%的玻璃粉。
12.根據權利要求8~11中的任一項所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述鉛-鉍系玻璃粉是以氧化物換算計含有鉛30~70摩爾%、鉍10~40摩爾%、鋅30摩爾%以下(包含0摩爾%)、硅5~30摩爾%的玻璃粉、或以氧化物換算計含有鉛30~70摩爾%、鉍10~40摩爾%、鋅30摩爾%以下(包含0摩爾%)、硼1~25摩爾%的玻璃粉。
13.根據權利要求8~12中的任一項所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述混合玻璃粉還包含以鉛及碲為必需成分的鉛-碲系玻璃粉。
14.根據權利要求8~13中的任一項所述的太陽能電池元件的制造方法,其特征在于,
所述導電性糊含有錫、氧化錫(II)、及氧化錫(IV)中的至少任一種作為添加劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





