[發明專利]研磨物的制造方法

無效

• 申請號: 201480003235.4
• 申請日: 2014-10-02
• 公開（公告）號: CN104822491A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 北村和正;長江智毅
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;H01L21/304
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

技術領域

本發明涉及研磨物的制造方法。

背景技術

以往，對于基板的磨削方法，提出的方案是利用平面磨削加工用砂輪，磨削半導體基板的正反面，直到半導體基板達到所需要的厚度，所述平面磨削加工用砂輪具有砂輪座，平衡壁位于砂輪座的外周部，所述平衡壁設置在與環狀外周壁突出的表面相反的表面上，并向與該環狀外周壁相反的方向突出地設置(例如，參考專利文獻1)。按照這種方法，能夠提供一種即使砂輪高速旋轉也能抑制砂輪座變形，并維持磨削品質與磨削精度的平面磨削加工用砂輪。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-271160號公報

發明內容

??????發明要解決的問題??????

但是，對于專利文獻1中記載的磨削方法，以1500rpm～10000rpm進行高速旋轉，以盡可能短的時間進行磨削處理，利用之后的研磨工序，進行進一步提高平滑度的處理。通過這種磨削工序，表面發生變形、變質層、微裂痕等，所獲得的表面粗糙度較大。對此，可通過之后的研磨工序去除變形、變質層、微裂痕等來處理。但是，研磨工序非常花費時間，存在完成磨削以及研磨工序的處理時間長的問題。

鑒于上述問題的存在，本發明的目的在于提供一種能夠進一步提高磨削工序加工品質的研磨物的制造方法。本發明的目的還在于提供一種能夠進一步縮短處理時間的研磨物的制造方法。

??????用于解決問題的方法??????

為了實現上述主要目的，發明人們潛心研究發現，綜合考慮處理時間，通過重新研究磨削工序的處理，能夠進一步提高磨削工序的加工品質，進而能夠進一步縮短磨削以及研磨工序處理時間，最終完成了本發明。

即，本發明的研磨物的制造方法是處理被研磨物來制造研磨物的方法，所述制造方法包含磨削工序，所述磨削工序利用以10m/s以下的圓周速度旋轉的砂輪磨削上述被研磨物表面。

??????發明的效果??????

本發明的研磨物的制造方法，能夠進一步提高磨削工序的加工品質，進而能夠進一步縮短磨削以及研磨工序的處理時間。其理由是因為，在磨削工序中，通過以往未使用的較低速的磨削處理，能夠抑制由于加工而產生的變形、變質層、微裂痕等的生成。因此，雖然增加了磨削工序的處理時間，但是能夠大幅地縮短磨削工序之后的研磨工序所需的時間，從而能夠縮短磨削以及研磨工序的處理時間。

附圖說明

圖1為顯示基板加工處理的一例的流程圖。

圖2為顯示本實施方式中磨削裝置10結構的一例的概略結構圖。

圖3為顯示本實施方式中研磨加工裝置20結構的一例的概略結構圖。

圖4為顯示本實施方式中CMP裝置30結構的一例的概略結構圖。

圖5為實施例1以及對照例1中磨削后的表面圖像。

具體實施方式

接下來，利用附圖說明本發明的實施方式。圖1為顯示本發明一個實施方式中基板加工處理的一例的流程圖。圖2為顯示本實施方式中磨削裝置10結構的一例的概略結構圖。圖3為顯示本實施方式中研磨加工裝置20結構的一例的概略結構圖。圖4為顯示本實施方式中CMP(chemical?mechanical?polishing)裝置30結構的一例的概略結構圖。

本實施方式中的研磨物制造方法通過下列步驟來獲得經研磨處理的研磨物，其包含：通過切斷圓柱形錠料以獲得圓盤形被研磨物的切斷工序(步驟S100)，磨削通過切斷獲得的被研磨物的磨削工序(步驟S110)，研磨磨削后的被研磨物的研磨工序(步驟S120)，進一步添加了化學處理的研磨用CMP工序(步驟S130)和用于表面清洗的清洗工序(步驟S140)。本文以磨削工序，研磨工序，CMP工序為主進行說明。此外，可適當地省去研磨工序和CMP工序，也可適當地增加如拋光工序等上述提及之外的其它工序。

被研磨物18包含例如，各種半導體晶片或單晶晶片等，也包含硅、氧化硅、氧化鋁、藍寶石、碳化硅或氮化鎵、磷酸鎵、砷鎵、磷化銦、鈮酸鋰、鉭酸鋰等化合物半導體。

(磨削工序)