[發明專利]薄膜沉積裝置與薄膜沉積方法

有效

• 申請號: 201480002729.0
• 申請日: 2014-02-03
• 公開（公告）號: CN104871293B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 黃常洙;李愚嗔;申奇照;車東壹
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 楊貝貝,臧建明

1.一種薄膜沉積裝置，包括：

腔室，具有預設的內部空間；

基板支撐部件，配置于所述腔室內并且支撐基板；以及

氣體供應裝置，具有至少一個供應通道及活化通道，所述供應通道用以供應處理氣體至所述基板，所述活化通道含有氣體活化單元用以活化所述處理氣體，

其中所述活化通道具有打開的下部與密封的上部，且由所述氣體活化單元活化的所述處理氣體通過所述活化通道而供應至所述基板上，使所述基板與所述氣體供應裝置間未活化的所述處理氣體活化。

2.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置與所述基板支撐部件中至少一個進行相對于彼此的相對運動。

3.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述供應通道包括：

至少一個第一供應通道，用以供應來源氣體；以及

至少一個第二供應通道，用以供應反應氣體，且所述第二供應通道相鄰于所述活化通道。

4.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置進一步包括：

處理氣體引導部件，用以調整所述處理氣體的注入方向。

5.根據權利要求4所述的薄膜沉積裝置，其中所述供應通道包括：

至少一個第一供應通道，用以供應來源氣體；以及

至少一個第二供應通道，用以供應反應氣體；且

其中，所述處理氣體引導部件包括：

至少一個來源氣體引導部件，用以調整所述來源氣體的注入方向；以及

反應氣體引導部件，用以調整所述反應氣體的注入方向。

6.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置進一步包括：

排氣通道，用以排出所述基板與所述氣體供應裝置間的所述處理氣體。

7.根據權利要求3所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置包括內部排氣通道，對稱配置于所述第一供應通道，用以排出殘余氣體。

8.根據權利要求3所述的薄膜沉積裝置，其中所述第二供應通道對稱配置于所述第一供應通道。

9.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置進一步包括：

外部排氣通道，配置在所述活化通道的外側。

10.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中所述供應通道包括：

至少一個第一供應通道，用以供應來源氣體；以及

至少一個第二供應通道，用以供應反應氣體；且

其中，所述氣體供應裝置包括：

內部排氣通道，配置在所述第一供應通道的一側，且所述內部排氣通道配置在所述第一供應通道與所述第二供應通道之間。

11.根據權利要求10所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置不具有任何排出所述第一供應通道的另一側與所述第二供應通道之間的殘余氣體的排氣部件。

12.根據權利要求10所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置包括：

外部排氣通道，配置于所述第二供應通道的一側，用以排出殘余氣體，且所述外部排氣通道對稱配置于所述第一供應通道。

13.根據權利要求10所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體供應裝置進一步包括：

至少一個來源氣體引導部件，用以調整所述來源氣體的注入方向；以及

反應氣體引導部件，用以調整所述反應氣體的注入方向。

14.根據權利要求1至13任一項所述的薄膜沉積裝置，進一步包括：

附屬腔室，具有預設的壓力；

來源氣體供應部件，用以選擇性地供應所述來源氣體至所述腔室與所述附屬腔室；以及

排氣部件，用以分別自所述腔室與所述附屬腔室排出所述來源氣體。

15.根據權利要求14所述的薄膜沉積裝置，其中所述來源氣體供應部件供應所述來源氣體至所述附屬腔室，直到所述來源氣體的進料量達到預設的進料率，進而供應所述來源氣體至所述腔室。

16.根據權利要求15所述的薄膜沉積裝置，其中當供應所述來源氣體至所述附屬腔室時，所述基板被負載入或卸載出所述腔室。