[發(fā)明專利]透明化合物半導體及其P型摻雜方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480002425.4
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104641422A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設計）人: 車國麟;任志淳
• 申請（專利權）人: 瑞福龍株式會社
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;H01B13/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

發(fā)明領域

本發(fā)明涉及透明化合物半導體及其制備方法，更確切地說，涉及具有透明性和導電性的P型摻雜透明化合物半導體及其P型摻雜的方法。

發(fā)明背景

目前，信息和通信技術的一個趨勢是將電子器件功能和顯示器件功能融合。為了融合電子器件功能和顯示器件功能，電子器件應當是透明的。

因此，積極進行了對以下的研究：執(zhí)行電子器件功能的同時滿足透明性的透明半導體，透明導體，及其制備方法。例如，氧化銦錫(ITO)作為透明導體開發(fā)并應用，以及開發(fā)了ZnO等。然而，穩(wěn)定性降低并且因此用于透明半導體的可能性也十分地有限。

發(fā)明概述

技術問題

本發(fā)明涉及提供具有透明性與導電性的P型摻雜透明化合物半導體及其制備方法。

技術方案

本發(fā)明一方面提供了P型摻雜透明化合物半導體，其具有摻雜M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一種)的(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一，并且(Ba,Sr)SnO₃是指Ba_1-ySr_ySnO₃(0≤y≤1.0)。

P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)Sn_1-xM_xO₃(0<x≤0.7)，M是Ru、Ga、Cu和Zn中的一種，并且(Ba,Sr)Sn_1-xM_xO₃是指Ba_1-ySr_ySn_1-xM_xO₃(0≤y≤1.0)。

P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)_1-xM_xSnO₃(0<x≤0.7)，M是K、Na和Rb中的一種，并且(Ba,Sr)_1-xM_xSnO₃是指(Ba_1-ySr_y)_1-xM_xSnO₃(0≤y≤1.0)。

P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成Sn_1-xM_xO₂(0<x≤0.7)，并且M可以是Ru。

本發(fā)明的另一方面提供P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)Sn_1-xRu_xO₃(0<x≤0.7)。

在P型摻雜透明化合物半導體中，可以通過用Ru摻雜(Ba,Sr)SnO₃來形成(Ba,Sr)Sn_1-xRu_xO₃。

本發(fā)明的又一方面提供P型摻雜透明化合物半導體，其具有組成(Ba,Sr)_1-xK_xSnO₃(0<x≤0.7)。

在P型摻雜透明化合物半導體中，可以通過用K摻雜(Ba,Sr)SnO₃來形成(Ba,Sr)_1-xK_xSnO₃。

本發(fā)明的另一方面提供P型摻雜透明化合物半導體的制備方法，通過用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一種)取代(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一中包含的(Ba,Sr)和Sn之一來進行P型摻雜。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明實施方案的透明化合物半導體，用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一種)對未經摻雜的(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一進行摻雜，因而可以獲得具有透明性和導電性的P型透明化合物半導體。

附圖簡述

圖1和圖2為使用根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施方案的透明化合物半導體制備的樣品在高溫下的電流電壓特性曲線圖。

圖3和圖4為使用根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施方案的透明化合物半導體制備的樣品在室溫下的電流電壓特性曲線圖。